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Crystal-face-dependent electron trapping behavior under high-field stress in Al2O3/GaN MOS structures fabricated through a dummy SiO2 process

Masahiro HARA, NABATAME, Toshihide, SAWADA, Tomomi, 宮本 真奈美, 三浦 博美, IROKAWA, Yoshihiro, Tsunenobu Kimoto, KOIDE, Yasuo.
12th International Workshop on Nitride Semiconductors. 2024年11月03日-2024年11月08日.

NIMS著者

Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット

    作成時刻: 2024-11-27 17:37:02 +0900 更新時刻: 2024-11-27 17:37:02 +0900

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