Investigation of HfSiOx gate insulator formed by changing fabrication process conditions for GaN power device
AWAD2021. 2021年08月26日-2021年08月27日. 招待講演
NIMS著者
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作成時刻: 2021-09-18 03:00:22 +0900更新時刻: 2024-03-05 12:21:42 +0900