陽電子消滅を用いたAl2O3/GaN の空隙・空孔型欠陥の評価
(Open spaces and vacancy-type defects in Al2O3/GaN studied using positron annihilation)
NIMS著者
Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット
作成時刻: 2020-10-20 03:00:20 +0900更新時刻: 2020-10-20 03:00:21 +0900