Wake-up-free properties and high fatigue resistance of HfxZr1−xO2-based metal–ferroelectric–semiconductor using top ZrO2 nucleation layer at low thermal budget (300 °C)

著者	Takashi Onaya, Toshihide Nabatame, Mari Inoue, Tomomi Sawada, Hiroyuki Ota, Yukinori Morita.
掲載誌名	APL Materials 10 [5] 051110 ISSN: 2166532X ESIでのカテゴリ: MATERIALS SCIENCE
出版社	AIP Publishing
発表年	2022
言語	English
DOI	https://doi.org/10.1063/5.0091661
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