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原子層堆積法によるHfₓZr₁₋ₓO₂薄膜の成長と強誘電性評価 ～強誘電体ゲート有機トランジスタの開発に向けて～
第2回 東洋大・東京電機大SC研究交流会. 2026-08-05.
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Created at: 2026-10-17 03:10:13 +0900 Updated at: 2026-10-17 03:10:13 +0900