Study of SiO2 Interfacial Layer Growth during Fabrication Process of Ferroelectric HfxZr1−xO2-Based Metal-Ferroelectric-Semiconductor
240th ECS Meeting / https://www.electrochem.org/240/. 2021年10月10日-2021年10月14日.
NIMS著者
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作成時刻: 2021-10-28 03:35:37 +0900更新時刻: 2021-10-28 03:35:37 +0900