HOME > 口頭発表 > 書誌詳細アモルファス酸化インジウム薄膜トランジスタにおける電荷密度および移動度の添加元素依存性(Dopant selection for control of charge carrier density and mobility in amorphous indium oxide based thin-film transistors)三苫 伸彦, 相川 慎也, オウヤン ウェイ, 高 旭, 木津 たきお, 林 孟 芳, 藤原明比古, 生田目 俊秀, 塚越 一仁. 応用物理学会春季学術講演会. 2015年03月11日-2015年03月14日.NIMS著者生田目 俊秀塚越 一仁Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2017-02-14 10:56:43 +0900更新時刻: 2017-07-10 22:05:52 +0900