SAMURAI - NIMS Researchers Database

HOME > 論文 > 詳細

論文の表示

著者名Ryota Ochi, Erika Maeda, Toshihide Nabatame, Koji Shiozaki, Taketomo Sato, Tamotsu Hashizume.
タイトルGate controllability of HfSiOx/AlGaN/GaN MOS high-electron-mobility transistor
掲載誌名AIP Advances 10 [6] 065215
ISSN: 21583226
発表年2020
言語English
ESIでのカテゴリ
DOIhttps://doi.org/10.1063/5.0012687
この文献をMendeleyにインポートMendeley

▲ページトップへ移動