HfSiOxゲート AlGaN/GaN HEMTsのDC特性とMOS界面評価
(Study of DC properties and MOS interface of HfSiOx AlGaN/GaN HEMTs)
電子デバイス研究会「化合物半導体ICおよび超高速・超高周波デバイス／マイクロ波一般 」. 2021-01-29.
NIMS著者
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作成時刻: 2021-07-17 03:00:20 +0900更新時刻: 2021-07-17 03:00:20 +0900