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Study of HfO2-based High-k gate insulators for GaN power device

生田目 俊秀, 前田 瑛里香, 井上 万里, 廣瀨 雅史, Ryota Ochi, 澤田 朋実, 色川 芳宏, Tamotsu Hashizume, Koji Shiozaki, Takashi Onaya, 塚越 一仁, 小出 康夫.
240th ECS Meeting / https://www.electrochem.org/240/. 2021年10月10日-2021年10月14日. 招待講演

NIMS著者

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    作成時刻: 2021-10-28 03:35:36 +0900更新時刻: 2024-03-05 12:21:44 +0900

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