HOME > 口頭発表 > 書誌詳細Study of HfO2-based High-k gate insulators for GaN power device生田目 俊秀, 前田 瑛里香, 井上 万里, 廣瀨 雅史, Ryota Ochi, 澤田 朋実, 色川 芳宏, Tamotsu Hashizume, Koji Shiozaki, Takashi Onaya, 塚越 一仁, 小出 康夫. 240th ECS Meeting / https://www.electrochem.org/240/. 2021. 招待講演NIMS著者生田目 俊秀色川 芳宏塚越 一仁小出 康夫Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2021-10-28 03:35:36 +0900更新時刻: 2024-03-05 12:21:44 +0900
