Role of interface reaction layer between ferroelectric HfxZr1−xO2 thin film and TiN electrode on endurance properties
INFOS2023 23rd CONFERENCE ON INSULATING FILMS ON SEMICONDUCTORS. 2023年06月27日-2023年06月30日.
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作成時刻: 2023-07-31 03:27:58 +0900更新時刻: 2023-07-31 03:27:58 +0900