HOME > Presentation > DetailLattice-plane orientation mapping of 2-inch homo-epitaxial GaN (0001) thin films by grazing incident x-ray diffraction topographyキム ジェミョン, ソ オッキュン, ソン チョルホ, 廣井 慧, チェン ヤナ, 色川 芳宏, 生田目 俊秀, 小出 康夫, 坂田 修身. IWN 2018. November 11, 2018-November 16, 2018.NIMS author(s)IROKAWA, YoshihiroNABATAME, ToshihideFulltext and dataset(s) on Materials Data Repository (MDR)Created at: 2018-09-13 16:35:05 +0900 Updated at: 2018-09-13 16:35:05 +0900