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Poly-Si/TiN/HfO2/SiO2ゲートスタックのTiNからの窒素起因の窒化反応と酸化反応
(Oxidizing and Nitriding Reactions Originated with Nitrogen Released from TiN in Poly-Si/TiN/HfO2/SiO2 Gate Stack)

Takeo Matsuki, Kenji Ohmori, Testuo Morooka, Takayuki Suzuki, Motoyuki Sato, 木本 浩司, 生田目 俊秀, Seiichi Miyazaki, Kenji Shirai, 知京 豊裕, Keisaku Yamada, Jiro Yugami, 松井 良夫, Kazuto Ikeda, Yuzuru Ohji.
40th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference . 2009.

NIMS著者

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    作成時刻: 2017-02-14 10:54:01 +0900更新時刻: 2017-07-10 20:35:18 +0900

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