SAMURAI - NIMS Researchers Database

NIMS Awardシンポジウム2026

HOME > 口頭発表 > 書誌詳細

Poly-Si/TiN/HfO2/SiO2ゲートスタックのTiNからの窒素起因の窒化反応と酸化反応
(Oxidizing and Nitriding Reactions Originated with Nitrogen Released from TiN in Poly-Si/TiN/HfO2/SiO2 Gate Stack)

Takeo Matsuki, Kenji Ohmori, Testuo Morooka, Takayuki Suzuki, Motoyuki Sato, 木本 浩司, 生田目 俊秀, Seiichi Miyazaki, Kenji Shirai, 知京 豊裕, Keisaku Yamada, Jiro Yugami, 松井 良夫, Kazuto Ikeda, Yuzuru Ohji.
40th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference . 2009年12月03日-2009年12月05日.

NIMS著者

Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット

    作成時刻: 2017-02-14 10:54:01 +0900 更新時刻: 2017-07-10 20:35:18 +0900

    ▲ページトップへ移動