HOME > 口頭発表 > 書誌詳細Electrical properties of GaN MOS capacitors with ALD-High-k gate insulatorsNABATAME, Toshihide, IROKAWA, Yoshihiro, 塩崎 宏司, KOIDE, Yasuo. MATERIALS RESEARCH MEETING 2019. 2019年12月10日-2019年12月14日. 招待講演NIMS著者生田目 俊秀色川 芳宏小出 康夫Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2019-12-25 03:00:21 +0900更新時刻: 2024-03-05 12:21:17 +0900