HOME > 口頭発表 > 書誌詳細HfSiOxゲートAlGaN/GaN MOS-HEMTのゲート制御性(Gate controllability of HfSiOx-gate AlGaN/GaN MOS-HEMT)越智 亮太, 前田 瑛里香, 生田目 俊秀, 塩崎 宏司, 橋詰 保. 第81回応用物理学会秋季学術講演会. 2020年09月08日-2020年09月11日.NIMS著者生田目 俊秀Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2020-09-20 03:00:17 +0900更新時刻: 2020-09-20 03:00:17 +0900