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電子・光機能材料研究センター 機能材料分野 ナノ電子デバイス材料グループ

[論文] [書籍] [会議録] [口頭発表] [その他の文献]

論文

2026
  1. Van Dung Nguyen, Chia-Yu Liang, Takahiro Nagata, Huu Duc Luong, Kao-Shuo Chang. Sputtered N-doped (Al,Zr,Ti,Ta,Hf)Ox dielectric layers for high-performance thin-film transistor-based UV photodetectors. Journal of Alloys and Compounds. 1054 186359-186359-11. 2026. Open Access
  2. Van Dung Nguyen, Chun-Ting Tai, Takahiro Nagata, K.-S. Chang. Development of thermally stable N-doped multielement dielectrics and their boost in electrical and UV-sensing performances of resulting dual-gate thin film transistors. Applied Surface Science. 745 167471-167471-10. 2026. Open Access
  3. Michiko Yoshitake, Kentaro Kinoshita, Hiroki Matsuo, Seiji Sakai, Songtian Li. Soft Probe Electrical Contact: Eliminating Electrode Deposition and Enabling Reliable Measurements of Emerging Materials. Materials. 19 [13] 2738-2738-15. 2026.
  4. Galuh Sukmarani, Efi Dwi Indari, Jotti Karunawan, Joko Suwardy, Fadli Rohman, Yoshiyuki Yamashita, Ferry Iskandar, Pipit Fitriani. Facile synthesis of hierarchically engineered MXene with tailored porosity and surface terminations for stable anode Li-ion battery applications. FlatChem. 58 101069-101069-13. 2026. Open Access
  5. Noriyuki Inoue, Naoe Hosoda, Michiko Yoshitake. Unique compositional profile at the interface between Bi2Te3 and aluminium produced via room-temperature bonding. Applied Surface Science Advances. 32 100957-100957-7. 2026.
  6. Shuhong Li, Juiteng Chang, Keisuke Atsumi, Kosei Matsumoto, Itsuki Tanaka, Tomonori Nishimura, Kaito Kanahashi, Takahiro Nagata, Jun Nara, Yoshiki Sakuma, Emi Kano, Nobuyuki Ikarashi, Kosuke Nagashio. MOCVD‐Grown MoS 2 Wafers as a Transfer‐Free Platform for Top‐Gate Devices via Dry Interface Engineering. Advanced Materials. 38 [45] e73931-1-e73931-9. 2026. Open Access
  7. Hideyuki Yasufuku, Tsuyoshi Ohnishi, Shigenori Ueda, Yoshiyuki Yamashita, Hiroshi Shinotsuka, Hideki Yoshikawa, Shigeo Tanuma, Satoshi Kawada, Yoshitaka Matsushita. Hard x-ray photoelectron spectroscopy (HAXPES) Cr Kα and XPS Al K α measurements of bulk lithium metal. Surface Science Spectra. 33 [1] 014001-1-014001-10. 2026. Open Access
  8. Masaharu Watanabe, Masaaki Kobata, Tatsuo Fukuda, Kenta Ogawa, Hao Cheng, Toyohiro Chikyow, Atsushi Ogura, Takahiro Nagata. Epitaxial growth and crystal structure transitions of Nb-doped (Ga x In 1− x ) 2 O 3 thin films on SrTiO 3 (111) substrates. Japanese Journal of Applied Physics. 65 [8] 08SP17-08SP17-10. 2026. Open Access
  9. Kenta Ogawa, Toyohiro Chikyow, Naomi Sawamoto, Atsushi Ogura, Takahiro Nagata. Effects of interface formation process on tunneling current components of n-type Ti 0.3 Zn 0.7 O 1.3 /p-type Si stack structure. Japanese Journal of Applied Physics. 65 [6] 06SP31-06SP31-8. 2026. Open Access
  10. Yuki Fujishiro, Tomoe Yayama, Takahiro Nagata, Toyohiro Chikyow, Fumiko Akagi. Effectiveness of fluorine termination at nitrogen vacancies inside gallium nitride crystals based on first-principles calculations. Journal of Applied Physics. 139 [8] 085703-1-085703-9. 2026. Open Access
2025
  1. Van Dung Nguyen, Takahiro Nagata, Huu Duc Luong, K.-S. Chang. Electrical and UV-sensing performance of N-doped-Ba(Ti,Zr,Mo,Hf,Ta)O3-dielectric and ZnSnO-channel-based flexible thin-film transistors. Applied Surface Science. 681 161568-161568-13. 2025. Open Access
  2. Michiko Yoshitake. General Prediction of Interface Chemical Bonding at Metal–Oxide Interface with the Interface Reaction Considered. Materials. 18 [13] 3096-3096-19. 2025.
  3. Takatsugu Wakahara, Chika Hirata, Dorra Mahdaoui, Kazuko Fujii, Yoshitaka Matsushita, Osamu Ito, Makito Takagi, Tomomi Shimazaki, Masanori Tachikawa, Shinjiro Yagyu, Yubin Liu, Yoshiyuki Nakajima, Takuro Nagai, Kazuhito Tsukagoshi. One-dimensional C60 arrays in noncovalent benzidine networks. Carbon. 233 119838-119838-8. 2025. Open Access
  4. Michiko Yoshitake, Takahiro Nagata. A Method for LLM-Based Construction of a Materials Property Knowledge Graph: A Case Study. Applied Sciences. 15 [19] 10511-10511-18. 2025. Open Access
  5. Shinjiro Yagyu, Michiko Yoshitake, Takahiro Nagata, Takeshi Yasuda, Takatsugu Wakahara, Yubin Liu, Yoshiyuki Nakajima. Automated analysis of photoelectron yield spectroscopy spectra interpreted via power laws. Science and Technology of Advanced Materials: Methods. 5 [1] 2465257-1-2465257-10. 2025. Open Access
  6. Zainab Fatima, Isao Ohkubo, Satoshi Ishii, Takahiro Nagata, Takashi Aizawa, Takao Mori. Overcoming surface energy to control Cu3N epitaxial growth. The Journal of Chemical Physics. 163 [23] 234712-1-234712-9. 2025. Open Access
  7. W. Hamouda, Y. Yamashita, S. Ueda, S. Matzen, O. Renault, F. Mehmood, T. Mikolajick, U. Schroeder, N. Barrett. Electron trapping/detrapping at oxygen vacancies and imprint evolution in La-doped Hf0.5Zr0.5O2 ferroelectric capacitors probed by hard x-ray photoelectron spectroscopy. Applied Physics Letters. 127 [18] 182902-1-182902-7. 2025. Open Access
  8. Mohamad Samsul Anrokhi, Pipit Fitriani, Oktaviardi Bityasmawan Abdillah, Fitri Aulia Permatasari, Yoshiyuki Yamashita, Fatimah Arofiati Noor, Ferry Iskandar. Carbonization and structural evolution of bituminous coal-derived carbons material toward supercapacitor applications. Journal of Materials Science. 60 [37] 17175-17191. 2025. Open Access
  9. Ibrahima Gueye, Akira Yasui, Yasumasa Takagi, Atsushi Ogura, Osami Sakata, Takahiro Nagata. Study of Local Band Bending in n-Channel In2O3 Thin-Film Transistors under Gate and Drain Voltage Stress Using Operando Hard X-ray Photoelectron Spectroscopy. ACS Applied Materials & Interfaces. 17 [38] 54241-54253. 2025. Open Access
  10. Muhammad Asharuddin, Rahmat Hidayat, Adhita Asma Nurunnizar, Natalita Maulani Nursam, Valdi Rizki Yandri, Waode Sukmawati Arsyad, Joko Suwardy, Efi Dwi Indari, Yoshiyuki Yamashita. The effect of surface ligands on the surface chemical states and photoluminescence characteristics in cesium lead bromide perovskite nanocrystals. RSC Advances. 15 [37] 30727-30741. 2025. Open Access
  11. Kenta Ogawa, Toyohiro Chikyow, Yuki Daimon, Atsushi Ogura, Takahiro Nagata. Effects of interface formation process on electronic properties of n-type Ti0.3Zn0.7O1.3/p-type Si stack structure. Japanese Journal of Applied Physics. 64 [5] 05SP25-05SP25-7. 2025. Open Access
  12. Takahiro Nagata, Asahiko Matsuda, Takashi Teramoto, Dominic Gerlach, Peng Shen, Shigenori Ueda, Takako Kimura, Christian Dussarrat, Toyohiro Chikyow. Effects of nitrosyl fluoride based gas treatment on fluorination and redox reaction at GaN surface and Pt/GaN interface. Journal of Applied Physics. 137 [9] 095304-1-095304-8. 2025. Open Access
2024
  1. Asahiko Matsuda, Takashi Teramoto, Takahiro Nagata, Dominic Gerlach, Shigenori Ueda, Toyohiro Chikyow. NF3 and F2 gas fluorination of GaN surface and Pt/GaN interface analyzed by hard X-ray photoelectron spectroscopy. Applied Surface Science. 659 159941. 2024. Open Access
  2. Michiko Yoshitake. General Method for Predicting Interface Bonding at Various Oxide–Metal Interfaces. Surfaces. 7 [2] 414-427. 2024.
  3. Michiko Yoshitake, Kaori Omata, Hideyuki Kanematsu. Area-Controlled Soft Contact Probe: Non-Destructive Robust Electrical Contact with 2D and Fragile Materials. Materials. 17 [5] 1194-1194-17. 2024.
  4. 山下 良之. メタルレジストのEUV露光による反応メカニズム及び大気安定性. 車載テクノロジー. 11 [11] 1-6. 2024. Open Access
  5. 柳生 進二郎, 吉武 道子, 長田 貴弘. セグメント回帰を用いたべき乗則で解釈される スペクトルの前処理法. Journal of Surface Analysis. 31 [1] 2-10. 2024. Open Access
  6. Motasim Billah, Yukana Terasawa, Mostafa Kamal Masud, Toru Asahi, Mohamed Barakat Zakaria Hegazy, Takahiro Nagata, Toyohiro Chikyow, Fumihiko Uesugi, Md. Shahriar A. Hossain, Yusuke Yamauchi. Giant piezoresponse in nanoporous (Ba,Ca)(Ti,Zr)O3 thin film. Chemical Science. 15 [24] 9147-9154. 2024. Open Access
  7. Takahiro Nagata, Toyohiro Chikyow, Akira Ando. Crystal Structure Modification and Dielectric Properties of Sr- and La-Containing A2B2O7 Thin Films for High-Temperature Operational Film Capacitors. ACS Omega. 9 [24] 25968-25975. 2024. Open Access
  8. Ibrahima Gueye, Shigenori Ueda, Atsushi Ogura, Takahiro Nagata. Direct Analysis of Stacked Au/Ti/In2O3/Al2O3/p+-Si Transport Mechanisms Using Operando Hard X-ray Photoelectron Spectroscopy. ACS Applied Electronic Materials. 6 [5] 3237-3248. 2024. Open Access
  9. Yuhua Tsai, Yusuke Hashimoto, Takahiro Nagata, Yoshiyuki Yamashita. Photoelectron Holographic Study for Atomic Site Occupancy for Si Dopants in Si-Doped κ-Ga2O3(001). Nano Letters. 24 [13] 3978-3985. 2024. Open Access
  10. Yuhua Tsai, Masaaki Kobata, Yoshiyuki Yamashita. Atomic position and the chemical state of an active Sn dopant for Sn-doped β-Ga2O3(001). Applied Physics Letters. 124 [11] 112105. 2024. Open Access
  11. T.T. Suzuki, Y. Yamashita, I. Sakaguchi. Bias voltage induced-electrical conductivity at electrode interfaces of a rutile TiO 2 single crystal: Two different mechanisms depending on temperature. Surfaces and Interfaces. 44 103703. 2024. Open Access
2023
  1. 柳生 進二郎, 吉武 道子, 長田 貴弘. べき乗則で解釈されるスペクトルの閾値及びべき乗数の自動解析方法. Journal of Surface Analysis. 30 [2] 98-112. 2023. Open Access
  2. 長田 貴弘. 実験現場から見たデータ駆動型無機薄膜材料開発とハイスループット材料合成. Journal of the Society of Inorganic Materials, Japan. 30 [427] 297-303. 2023.
  3. 柳生 進二郎, 吉武 道子, 長田 貴弘, 安田 剛, 桑島 功, Yubin Liu. 有機半導体材料における光電子収量分光（PYS）データベース構築. Journal of Surface Analysis. 29 [3] 146-154. 2023. Open Access
  4. 吉武 道子. 科学原理を分野横断的に俯瞰・活用する～マテリアルキュレーション®～. Journal of the Society of Inorganic Materials, Japan. 30 291-296. 2023.
  5. 山下 良之. EUVメタルレジストの作製、物性評価と反応機構. MATERIAL STAGE. 22 [11] 37-41. 2023.
  6. Dorra Mahdaoui, Chika Hirata, Kahori Nagaoka, Kun’ichi Miyazawa, Kazuko Fujii, Toshihiro Ando, Osamu Ito, Shinjiro Yagyu, Kazuhito Tsukagoshi, Takatsugu Wakahara. Ambipolar to Unipolar Conversion in C70/Ferrocene Nanosheet Field-Effect Transistors. Nanomaterials. 13 [17] 2469. 2023.
  7. Osami Sakata, Shinjiro Yagyu. Visualizing local bending of lattice planes by extending two-azimuth synchrotron X-ray diffraction datasets to asymmetric reflection. Science and Technology of Advanced Materials: Methods. 3 [1] 2199130 . 2023.
  8. Takashi Onaya, Toshihide Nabatame, Takahiro Nagata, Kazuhito Tsukagoshi, Jiyoung Kim. Effects of oxidant gas for atomic layer deposition on crystal structure and fatigue of ferroelectric HfxZr1−xO2 thin films. Solid-State Electronics. 210 108801. 2023.
  9. Valdi Rizki Yandri, インダリ エフィ ダウィ, 山下 良之. Crystal structures and photoluminescence characteristics of cesium lead bromide perovskite nanoplatelets depending on the antisolvent and ligand used in their syntheses. Heliyon. e23276. 2023.
  10. Van Dung Nguyen, Takahiro Nagata. High-throughput methodology for the realization of high-entropy sub-nm equivalent-oxide-thickness high-dielectric-constant Ba(Ti,Zr,Ta,Hf,Mo)O3 film-based metal-oxide-semiconductor-related devices. Materials Today Physics. 37 101202. 2023.
  11. Mohamed Barakat Zakaria Hegazy, Alexei A. Belik, Takahiro Nagata, Ahmed Khalil, Toyohiro Chikyow. The non-innocent role of cobalt in manipulating the magnetic and electric properties of mesoporous silica thin films. Microporous and Mesoporous Materials. 359 112661. 2023.
  12. 山下 良之. メタルレジスト. 表面と真空. 66 [8] 502-502. 2023.
  13. Akito Fukui, Takahiro Nagata. Unusual Selective Monitoring of N,N-Dimethylformamide in a Two-Dimensional Material Field-Effect Transistor. ACS Nano. 17 [15] 14981-14989. 2023.
  14. Yuhua Tsai, Jingmin Tang, Yoshiyuki Yamashita. X-ray Absorption Fine Structural Study of Atomic Structures and Chemical States of Dopants in 4H-SiC(0001). ACS Applied Electronic Materials. 5 [7] 3843-3850. 2023.
  15. Ibrahima Gueye, Yasuhiro Shirai, Takahiro Nagata, Takashi Tsuchiya, Dhruba B. Khadka, Masatoshi Yanagida, Okkyun Seo, Kenjiro Miyano, Osami Sakata. Analysis of Iodide Transport on Methyl Ammonium Lead Iodide Perovskite Solar Cell Structure Through Operando Hard X-ray Photoelectron Spectroscopy. Chemistry of Materials. 35 [5] 1948-1960. 2023.
  16. Minh-Quyet Ha, Hiori Kino. Evidence-based data mining method to reveal similarities between materials based on physical mechanisms. Journal of Applied Physics. 133 [5] 053904. 2023. Open Access

書籍

2023
  1. 長田 貴弘. 第9節 実証実験でのコンビナトリアル手法の活用とハイスループット材料合成. ケモインフォマティクスにおけるデータ収集の最適化と解析手法. 2023.
  2. 長田 貴弘. 自律型ハイスループット薄膜材料探索の基盤となるデータ共有と薄膜材料開発. 実験の自動化・自律化によるR&Dの効率化と運用方法. 2023.

会議録

口頭発表

2026
  1. ONAYA, Takashi, NABATAME, Toshihide, NAGATA, Takahiro, TSUKAGOSHI, Kazuhito. Improvement of Endurance Properties in Ferroelectric HfxZr1−xO2 Thin Films by Designing Interfaces Using Oxygen Blocking Layers. 2026 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2026). 2026.
  2. 若原 孝次, 藤井 和子, 松下 能孝, 高木牧人, 島崎智実, 立川仁典, 柳生 進二郎, 中島嘉之, 長井 拓郎, 塚越 一仁. 非共有結合ベンジジンネットワーク内での一次元 C60配列. 第36回基礎有機化学討論会. 2026.
  3. 女屋 崇, 生田目 俊秀, 長田 貴弘, 塚越 一仁. HfO2系強誘電体デバイスの電界誘起界面反応に起因したエンデュランス劣化現象の抑制に寄与する重要因子に関する考察. 2026年 第87回応用物理学会秋季学術講演会. 2026.
  4. ONAYA, Takashi, NABATAME, Toshihide, NAGATA, Takahiro, TSUKAGOSHI, Kazuhito. Design of Interface Formation Process for Superior Ferroelectricity and Enhanced Fatigue Resistance in HfxZr1−xO2-Based Ferroelectric Devices. AVS 26th International Conference on Atomic Layer Deposition (ALD 2026). 2026.
  5. NAGATA, Takahiro. Operando hard X-ray photoelectron spectroscopy studies on dielectric material/semiconductor interfaces. 249th ECS meeting. 2026. 招待講演
  6. YAMASHITA, Yoshiyuki. The Origin of the Fermi level pinning for Hf-based gate stack structures studied by operando hard x-ray photoelectron spectroscopy. The 11th International Conference on Hard X-ray Photoelectron Spectroscopy (HAXPES 2026). 2026.
  7. ファティマ ザイナブ, 大久保 勇男, 石井 智, 長田 貴弘, 相澤 俊, 森 孝雄. 薄膜成長における表面エネルギーの重要性再認識. 2026年第73回応用物理学会春季学術講演会. 2026.
  8. 柳生 進二郎, 長田 貴弘, 中島 嘉之. HF 処理 Si 表面の大気中光電子収量分光におけるべき乗則の解析と放出機構の考察. 2026年 第73回 応用物理学会 春季学術講演会. 2026.
  9. 張 睿騰, 李 曙紅, 松本 昂征, 前川 紘億, 西村 知紀, 金橋 魁利, SAKUMA, Yoshiki, NAGATA, Takahiro, 長汐 晃輔. Transfer-free top-gate MoS2 FETs using MOCVD-MoS2 wafers. 第73回応用物理学会春季学術講演会. 2026.
  10. 柳生 進二郎, 長田 貴弘, 安田 剛, 中島 嘉之. 情報量規準とシフト補正付両対数プロット直線化法に基づく光電子収量分光スペクトルの高精度自動解析. 2026年 第73回 応用物理学会 春季学術講演会. 2026.
  11. 藤代 裕貴, 屋山 巴, 長田 貴弘, 知京 豊裕, 赤城 文子. 第一原理計算に基づく窒化ガリウム窒素空孔へ吸着する フッ素の拡散経路に関する解析. 2026年 第73回 応用物理学会 春季学術講演会. 2026.
  12. 小川 健太, 知京 豊裕, 小椋 厚志, 長田 貴弘. トンネルFET用Ti0.3Zn0.7O1.3/Si接合の界面構造がトンネル電流特性に与える影響. 第31回電子デバイス界面テクノロジー研究会. 2026.
2025
  1. 小川 健太, 知京 豊裕, 小椋 厚志, 長田 貴弘. トンネルFET用TixZn1-xO1+x/Si接合における界面構造とトンネル電流成分の関係. 日本電子材料技術協会 2025年第62回秋期講演大会. 2025.
  2. 佐久間 博, 長田 貴弘, 三宅 亮, 小野寺 桃子, 町田 友樹, 年吉 洋. イオン伝導による歪センサ開発にむけた薄層マイカの物性評価. 第42回「センサ・マイクロマシンと応用システム」シンポジウム. 2025.
  3. WAKAHARA, Takatsugu, HIRATA, Chika, 古澤 佐知子, FUJII, Kazuko, 伊藤 攻, MATSUSHITA, Yoshitaka, YAGYU, Shinjiro, 高木牧人, 島崎智実, 立川仁典, 中島嘉之, TSUKAGOSHI, Kazuhito. Low-Dimensional Fullerene/Donor Cocrystals. 第35回日本MRS年次大会. 2025.
  4. 小川 健太, CHIKYO, Toyohiro, 小椋 厚志, NAGATA, Takahiro. Effects of Interface Formation Process on Tunneling Current Components of N-type Ti0.3Zn0.7O1.3/P-type Si Stack Structure. 2025 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices: Science and Technology (IWDTF 2025). 2025.
  5. J. Chang, S. Li, H. Maekawa, T. Nishimura, SAKUMA, Yoshiki, NAGATA, Takahiro, K. Nagashio. Interface Engineering of MOCVD-Grown MoS2 on Sapphire for High On/Off Ratio FETs. The 16th International Conference on Recent Progress in Graphene and 2D Materials Research (RPGR2025). 2025.
  6. H. Maekawa, J.-T. Chang, S. Li, T. Nishimura, K. Kanahashi, SAKUMA, Yoshiki, NAGATA, Takahiro, K. Nagashio. Reaction of MoS2 with stacked high-k dielectrics. The 16th International Conference on Recent Progress in Graphene and 2D Materials Research (RPGR2025). 2025.
  7. 若原 孝次, 平田 千佳, 古澤 佐知子, 藤井 和子, 伊藤 攻, 松下 能孝, 柳生 進二郎, 高木 牧人, 島崎 智実, 立川 仁典, 中島 嘉之, 塚越 一仁. フラーレンを用いた低次元D-A共結晶の作製. 第33回有機結晶シンポジウム. 2025.
  8. YAMASHITA, Yoshiyuki, HASHIMOTO Yusuke, MATSUSHITA Tomohiro, MAZZOLINI Piero. Photoelectron Holographic Study of Atomic Site Occupancy of the Si Dopant in k-Ga2O3(001). Annual Meeting of the Japan Society of Vacuum and Surface Science 2025. 2025.
  9. 大澤 俊郎, NAGATA, Takahiro, SAKUMA, Yoshiki, 竹澤 伸吾, 小嗣 真人, NAGAMURA, Naoka. MBE growth and characterization of ultrathin Bi films on monolayer MOCVD-MoS2. 2025年 日本表面真空学会学術講演会. 2025.
  10. 柳生 進二郎. データ特徴を炙り出す！測定スペクトル自動解析の数理アプローチとDX化. 2025 JIEP湘南ワークショップ. 2025.
  11. 石 一智, 吉川 英樹, 源 聡, 木野 日織, 出村 雅彦, 松田 朝彦, 三澤 貴宏, 古宇田 光, 吉見 一慶, 尾崎 泰助. 文部科学省データ創出・活用型 マテリアル研究開発プロジェクト (DxMT)　データ連携部会中核機関の紹介. 第11回 大型実験施設とスーパーコンピュータとの連携利用シンポジウム. 2025.
  12. 石 一智, 吉川 英樹, 出村 雅彦, 源 聡, 木野 日織, 松田 朝彦, 三澤 貴宏, 古宇田 光, 吉見 一慶, 尾崎 泰助. 文部科学省データ創出・活用型 マテリアル研究開発プロジェクト (DxMT) データ連携部会中核機関の取り組み. 第20回材料系ワークショップ. 2025.
  13. NAGATA, Takahiro. Hard X-Ray Photoelectron Spectroscopy Studies of Surface Treatment Effects and Interface Control at Compound Semiconductor Heterointerfaces. 248th ECS Meeting. 2025. 招待講演
  14. SAENGDEEJING, Arkapol, SAHARA, Ryoji, KINO, Hiori, CHIKYO, Toyohiro. Accelerated Development of Thermodynamic Database using Machine Learning Potential. JIMM 2025 Autumn Annual Meeting (日本金属学会 2025年秋期 第177回講演大会). 2025.
  15. YAMASHITA, Yoshiyuki, HASHIMOTO Yusuke, MATSUSHITA Tomohiro, MAZZOLINI Piero. Photoelectron Holographic Study of Atomic Site Occupancy of the Si Dopant in k-Ga2O3(001). The 23rd International Vacuum Congress 2025 (IVC-23). 2025.
  16. 若原 孝次, 藤井 和子, 伊藤 攻, 劉雨彬, 中島嘉之, 宮澤 薫一, 高木牧人, 島崎智実, 立川仁典, 柳生 進二郎, 塚越 一仁. ナノシートトランジスタにおけるアンビポーラからユニポーラへの不可逆スイッチング：フラーレン／フェロセンナノシートにおけるフェロセンの役割. 第35回基礎有機化学討論会. 2025.
  17. 吉武 道子. 非破壊可逆電気コンタクトプローブとその利用. 第86回応用物理学会秋季学術講演会. 2025.
  18. 西村 知紀, 李 曙紅, 大竹 亮太郎, 渥美 圭脩, 佐久間 芳樹, 長田 貴弘, 金橋 魁利, 長汐 晃輔. サファイア基板上単層MoS2へのレジストフリー界面ゲートスタック形成. 2025年 第86回応用物理学会秋季学術講演会. 2025.
  19. 吉武 道子, 長田 貴弘. 元素置換系のパーシステントホモロジー検討. 第86回応用物理学会秋季学術講演会. 2025.
  20. 長田 貴弘, 佐久間 芳樹, 小畠 雅明, 福田 竜生, 西村 知紀, 李 曙紅, 張 睿騰, 渥美 圭脩, 金橋 魁利, 長汐 晃輔. 温度可変/多エネルギー光電子分光法による単層MoS2/サファイア構造の結合・電子状態評価. 2025年 第86回応用物理学会秋季学術講演会. 2025.
  21. 小川 健太, 知京 豊裕, 小椋 厚志, 長田 貴弘. トンネルFET用Ti0.3Zn0.7O1.3/Si界面における電流成分解析. 2025年 第86回応用物理学会秋季学術講演会. 2025.
  22. 柳生 進二郎, 長田 貴弘, 中島 嘉之. 光電子収量分光におけるN・P型Siスペクトルの収集と解析. 2025年 第86回応用物理学会秋季学術講演会. 2025.
  23. 吉武 道子, 長田 貴弘. ChatGPTを用いた，材料物性間の関係性知識グラフ及び関係性探索ツールの作成. 第86回応用物理学会秋季学術講演会. 2025.
  24. 渡邉 允晴, 小椋 厚志, 知京 豊裕, 長田 貴弘. PLD法によるNbドープ(GaxIn1-x)2O3固溶体の結晶成長及び構造評価. 2025年 第86回応用物理学会秋季学術講演会. 2025.
  25. 柳生 進二郎, 長田 貴弘, 安田 剛, 柳田 真利, 松波 成行, 桑田 武, 中島 嘉之. 光電子収量分光(PYS)データのオープン化と ARIM データ基盤を介したデータセットの整備. 第86回応用物理学会秋季学術講演会. 2025.
  26. YAMASHITA, Yoshiyuki, TSAI, Yu-Hua, 橋本 由介, 松下 智裕, Piero Mazzolini. Photoelectron Holographic Study of Atomic Site Occupancy of the Si Dopant in k-Ga2O3(001). The International Conference on Electronic Spectroscopy and Structure (ICESS-16). 2025.
  27. SAENGDEEJING, Arkapol, SAHARA, Ryoji, Kawazoe Yoshiyuki, Higashino Kazuyuki, KINO, Hiori, CHIKYO, Toyohiro. CALPHAD-type Thermodynamic Database from Machine Learning Potential. The 4th International Symposium for Materials R&D Data. 2025. 招待講演
  28. SAENGDEEJING, Arkapol, SAHARA, Ryoji, KAWAZOE Yoshiyuki, HIGASHINO Kazuyuki, KINO, Hiori, CHIKYO, Toyohiro. Thermodynamic Database Comparision between First-principles Calculations and Neural Network Potential. The 11th General Conference of the Asian Consortium on Computational Materials Science (ACCMS-11). 2025. 招待講演
  29. SAENGDEEJING, Arkapol, SAHARA, Ryoji, KINO, Hiori, CHIKYO, Toyohiro. Pt-Rh Thermodynamic Database using Neural Network Potential. 52nd International Conference on Computer Coupling of Phase Diagrams and Thermochemistry (CALPHAD 2025). 2025.
  30. SAENGDEEJING, Arkapol, SAHARA, Ryoji, KINO, Hiori, CHIKYO, Toyohiro. Thermodynamic Modeling based on Neural Network Potential. Material Science: Modeling & Design in Action. 2025.
  31. KATAYAMA, Hideki, YAGYU, Shinjiro, MATSUNAMI, Shigeyuki. Machine learning-based construction of corrosion risk map from environmental data. The 10th International Symposium on Marine Corrosion and Control. 2025.
  32. 長田 貴弘, 木野 日織, 河野 敬, 尾崎 仁亮, 池田 潤. ２次元計測データよる誘電体薄膜材料探索効率化と既存データとの連携の検討. 第72回応用物理学会春季学術講演会. 2025.
  33. 柳生 進二郎. 光電子収量分光スペクトルの自動解析に向けたアルゴリズム開発. 2025年 第72回 応用物理学会 春季学術講演会. 2025. 招待講演
  34. 阿多 翔大, 市川 龍斗, 古川 勝裕, 相馬 永, 吉村 武, 長田 貴弘, 山下 良之, 小畠 雅明, 福田 竜生, 藤村 紀文. RF窒素プラズマ照射によるβ - Ga2O3の窒素ドーピング. 2025年 第72回応用物理学会春季学術講演会. 2025.
  35. 吉武 道子, 長田 貴弘. イオン伝導体CIFファイルの違いがパーシステント図に与える影響. 第72回応用物理学会春季学術講演会. 2025.
  36. 吉武 道子, 長田 貴弘. 材料科学知識グラフ：自動・自律実験の拡張ツール. 第72回応用物理学会春季学術講演会. 2025.
  37. 柳生 進二郎, 長田 貴弘. セグメント回帰を用いた変化点抽出と線形化. 2025年 第72回 応用物理学会 春季学術講演会. 2025.
  38. 藤代 裕貴, 屋山 巴, 長田 貴弘, 知京 豊裕, 赤城 文子. 窒化ガリウム結晶内部の点欠陥に対するフッ素終端と水素終端の電子状態の比較. 第72回応用物理学会春季学術講演会. 2025.
  39. 石 一智, 吉川 英樹, 出村 雅彦, 源 聡, 木野 日織, 三澤 貴宏, 古宇田 光, 吉見 一慶, 尾崎 泰助. 文部科学省データ創出・活用型 マテリアル研究開発プロジェクト (DxMT)　データ連携部会中核機関. 第19回材料系ワークショップ. 2025.
2024
  1. WAKAHARA, Takatsugu, HIRATA, Chika, マハダウディックヒアリ ドラ, FUJII, Kazuko, MATSUSHITA, Yoshitaka, 伊藤 攻, 高木牧人, 島崎智実, 立川 仁典, YAGYU, Shinjiro, 劉雨彬, 中島嘉之, NAGAI, Takuro, TSUKAGOSHI, Kazuhito. One-dimensional C60 Arrays in Noncovalent Benzidine Networks. 第34回日本MRS年次大会. 2024.
  2. 柳生 進二郎. 大気中光電子収量分光データの自動解析とその事例の紹介. マテリアル先端リサーチインフラ (R6 年第三回 ARIM) NIMS 担当領域セミナー. 2024.
  3. YAMASHITA, Yoshiyuki, TSAI, Yu-Hua, 橋本 由介, 松下 智裕, Piero Mazzolini. Photoelectron Holographic Study of Atomic Site Occupancy of the Si Dopant in k-Ga2O3(001). 9th International Symposium on Practical Surface Analysis (PSA-24). 2024.
  4. 小川 健太, CHIKYO, Toyohiro, 小椋 厚志, NAGATA, Takahiro. Effects of Interface Formation Process on band arrangements and electronic properties of n-type Ti0.3Zn0.7O1.3/Si for tunnel FET. 37th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2024). 2024.
  5. NAGATA, Takahiro, YAGYU, Shinjiro, OHASHI, Naoki. Effect of Dopants on Threshold Voltage Control of Zinc Oxide Based Thin Film Varistor. 37th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2024). 2024.
  6. 石 一智, 松田 朝彦, 吉川 英樹, 出村 雅彦, 源 聡, 木野 日織, 三澤 貴宏, 古宇田 光, 吉見 一慶, 尾崎 泰助. 文部科学省データ創出・活用型 マテリアル研究開発プロジェクト (DxMT) . NIMS Award Symposium 2024. 2024.
  7. NAGATA, Takahiro. Surface electronic state modification and hard X-ray photoelectron spectroscopic study of wide bandgap semiconductors. 5th International Conference on Emerging Advanced Nanomaterials ICEAN 2024. 2024. 招待講演
  8. 若原 孝次, 藤井 和子, 松下 能孝, 高木牧人, 島崎智実, 立川 仁典, 柳生 進二郎, 劉雨彬, 中島嘉之, 長井 拓郎, 塚越 一仁. 非共有結合ベンジジンネットワークにおける 一次元 C60 配列. 第32回有機結晶シンポジウム. 2024.
  9. 石 一智, 吉川 英樹, 出村 雅彦, 源 聡, 木野 日織, 三澤 貴宏. 文部科学省データ創出・活用型 マテリアル研究開発プロジェクト (DxMT)　データ連携部会中核機関. 第18回材料系ワークショップ. 2024.
  10. 中島 嘉之, 柳生 進二郎, 長田 貴弘. 大気中光電子収量分光を用いた金属実表面の光電子放出特性の連続測定. 第85回応用物理学会秋季学術講演会. 2024.
  11. 吉武 道子, 長田 貴弘. イオン伝導体結晶構造探索へのパーシステントホモロジー適用の検討. 第85回応用物理学会秋季学術講演会. 2024.
  12. 柳生 進二郎, 吉武 道子, 長田 貴弘. セグメント回帰を用いたデータ変化点の抽出と解析. 第85回応用物理学会秋季学術講演会. 2024.
  13. 吉武 道子, 長田 貴弘. マテリアルキュレーション®支援システムの利用tips. 第85回応用物理学会秋季学術講演会. 2024.
  14. 柳生 進二郎, 長田 貴弘, 劉 雨彬. 光電子収量分光における自動解析の検討　‐N・P型Siスペクトルの解析-. 第85回応用物理学会秋季学術講演会. 2024.
  15. 石 一智, 吉川 英樹, 源 聡, 木野 日織, 出村 雅彦, 三澤 貴宏. 文部科学省データ創出・活用型 マテリアル研究開発プロジェクト (DxMT)　データ連携部会中核機関. 第10回 大型実験施設とスーパーコンピュータとの連携利用シンポジウム. 2024.
  16. 若原 孝次, 松下 能孝, 藤井 和子, 伊藤 攻, 劉雨彬, 中島嘉之, 高木牧人, 島崎智実, 立川 仁典, 柳生 進二郎, 塚越 一仁. フラーレン/ポルフィリン低次元共結晶の構造と電荷輸送特性. 第34回基礎有機化学討論会. 2024.
  17. NAGATA, Takahiro, 成 浩, Atsushi Ogura, 渡邉 允晴, CHIKYO, Toyohiro. Combinatorial thin film material synthesis for controlling electron carriers in (GaxIn1-x)2O3 solid solution system. 12th International Workshop on Combinatorial Materials, COMBI2024. 2024.
  18. 劉 雨彬, 中島 嘉之, YAGYU, Shinjiro. Recent Attempts of Digital Data Management for the Photoemission Yield Spectroscopy in Air. RSC-JAIMA Symposium on Analytical Chemistry 2024. 2024.
  19. NAGATA, Takahiro. Surface treatment and interface control of compound semiconductor-based materials for electronic devices. THINFILMS2024, The 10th International Conference On Technological Advances Of Thin Films and Surface Coatings. 2024. 招待講演
  20. グイイ イブラヒマ, Akira Yasui, Yasumasa Takagi, Atsushi Ogura, Osami Sakata, NAGATA, Takahiro. Study of Local Band Bending and Chemical Change of n-Channel In2O3 Thin-Film Transistor Under Gate and Source Voltage Stress By Using Operando Hard X-ray Photoelectron Spectroscopy. HAXPES2024, the 10th International Conference on Hard X-ray Photoelectron Spectroscopy. 2024.
  21. YAMASHITA, Yoshiyuki, YOSHIKAWA, Hideki. Operando Hard X-ray Photoelectron Spectroscopic Study of Electronic Structure of Polymer-Cathode Interface of an Operating Organic Light-emitting Diode. HAXPES 2024 (10th International Conference on Hard X-ray Photoelectron Spectroscopy). 2024.
  22. NAGATA, Takahiro. Modification of Dielectric Properties of Film Dielectric Materials by Solid Solution System. 245th ECS Meeting. 2024. 招待講演
  23. 藤代 裕貴, 屋山 巴, 長田 貴弘, 知京 豊裕. 窒化ガリウム結晶内部の点欠陥に対するフッ素終端構造とその電子状態に関する研究. 第71回 応用物理学会 春季学術講演会. 2024.
  24. 吉武 道子, 長田 貴弘. 物性名表記ゆれのChatGPTによる名寄せ. 第71回 応用物理学会 春季学術講演会. 2024.
  25. 柳生 進二郎, 吉武 道子, 長田 貴弘. べき乗則で解釈されるスペクトルの自動解析法. 第71回応用物理学会春季学術講演会. 2024.
  26. 石 一智, 吉川 英樹, 源 聡, 木野 日織, 出村 雅彦, 三澤 貴宏. 文部科学省データ創出・活用型 マテリアル研究開発プロジェクト (DxMT)　データ連携部会中核機関の活動について. ISSP(物性研究所計算物質科学研究センター)短期研究会「物質科学シミュレーションと先端実験のデータ連携」. 2024.
  27. 柳生 進二郎, 吉武 道子, 長田 貴弘, 知京 豊裕. サンプルマルチ診断のためのマテリアルシーケンサー開発. MEEP期末報告会＋マテリアル探索自動化・自律化シンポジウム. 2024.
  28. 石 一智, 吉川 英樹, 出村 雅彦, 源 聡, 木野 日織, 三澤 貴宏. 文部科学省データ創出・活用型 マテリアル研究開発プロジェクト (DxMT)　データ連携部会中核機関. 第17回材料系ワークショップ. 2024.
  29. 女屋 崇, 生田目 俊秀, 長田 貴弘, 山下 良之, 塚越 一仁, 喜多 浩之. 強誘電体HfxZr1−xO2/TiNの界面反応に起因する 分極疲労抑制メカニズムに関する考察. 第29回 電子デバイス界面テクノロジー研究会. 2024.
  30. 石 一智, 吉川 英樹, 出村 雅彦, 源 聡, 木野 日織, 三澤 貴宏. 文部科学省データ創出・活用型 マテリアル研究開発プロジェクト (DxMT)　データ連携部会中核機関. nano tech 2024 第23回 国際ナノテクノロジー総合展・技術会議. 2024.
2023
  1. ONAYA, Takashi, NABATAME, Toshihide, NAGATA, Takahiro, YAMASHITA, Yoshiyuki, TSUKAGOSHI, Kazuhito, Y. Morita. Improvement of Fatigue Properties of Ferroelectric HfxZr1−xO2 Thin Films Using Surface Oxidized TiN Bottom-Electrode. 54th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference. 2023.
  2. YAGYU, Shinjiro, NAGATA, Takahiro. A spectral preprocessing method using piecewise regression. MRM2023/IUMRS-ICA2023 Grand Meeting. 2023.
  3. WAKAHARA, Takatsugu, FUJII, Kazuko, MATSUSHITA, Yoshitaka, 宮澤　薫一, 伊藤 攻, YAGYU, Shinjiro, TSUKAGOSHI, Kazuhito. Fullerene/Porphyrin Cocrystal Nanoribbons. The 14th Japan-China Joint Symposium on Conduction and Photoconduction in Organic Solids and Related Phenomena. 2023.
  4. 石 一智, 吉川 英樹, 源 聡, 木野 日織, 出村 雅彦, 三澤 貴宏. 文部科学省データ創出・活用型 マテリアル研究開発プロジェクト (DxMT)　データ連携部会中核機関. マテリアル戦略総合シンポジウム2023. 2023.
  5. INDARI, Efi Dwi, ISHII, Kento, HARA, Toru, 原 由佳, UCHIKOSHI, Tetsuo, Damien Bolore. 3D-Image Analysis of the Microstructure of Porous High-Temperature Ceramics using FIB-SEM. The 8th Thailand International Nanotechnology Conference (NanoThailand 2023). 2023.
  6. YAMASHITA, Yoshiyuki, タン ジンミン, 橋本祐介. Atomic Structures and Chemical States for Active and Inactive Dopant Sites in Mg- and Si- Doped GaN. 36th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2023). 2023.
  7. マハダウディックヒアリ ドラ, 宮澤　薫一, 藤井 和子, 伊藤 攻, 柳生 進二郎, 塚越 一仁, 若原 孝次. C70フェロセンナノシートトランジスタにおけるアンバイポーラーからユニポーラ―への変換. 第33回日本MRS年次大会. 2023.
  8. Tomoe Yayama, NAGATA, Takahiro, CHIKYO, Toyohiro. Fluorine termination on dangling bonds of gallium nitride surfaces and defects. The 14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14) . 2023.
  9. 若原 孝次, 劉雨彬, 藤井 和子, 伊藤 攻, 塚越 一仁, 柳生 進二郎. フラーレン／フェロセン共結晶ナノシートの電荷輸送特性. 第31回有機結晶シンポジウム. 2023.
  10. Tomohiro Yamaguchi, NAGATA, Takahiro. Structural, electrical and optical properties of α-In2O3 grown by mist chimical vapor deposition on (0001)α-Al2O3 substrate. 7th International Conference on Advanced Electromaterials (ICAE 2023). 2023.
  11. YAMASHITA, Yoshiyuki, タン ジンミン, 橋本由介. Atomic structures and chemical states for active and inactive Mg dopant sites in GaN. 日本表面真空学会学術講演会. 2023.
  12. 山下 良之. SiO2/4H-SiC界面の界面準位のエネルギー準位及び界面準位の原子構造. Symposium on Practical Surface Analysis 2023 (PSA-23). 2023. 招待講演
  13. ONAYA, Takashi, NAGATA, Takahiro, NABATAME, Toshihide, YAMASHITA, Yoshiyuki, TSUKAGOSHI, Kazuhito, Koji Kita. Origin of Fatigue Properties Induced by Oxygen Vacancies Originating from Ferroelectric-HfxZr1−xO2/TiN Interface Reaction During Field Cycling. 2023 International Workshop on Dielectric Thin Films For Future Electron Devices. 2023.
  14. NAGATA, Takahiro. Polarity Control of GaN and AlN Thin Films by All Sputtering Process. International Workshop on Magnetron Sputter Epitaxy 2023. 2023. 招待講演
  15. 石 一智, 吉川 英樹, 源 聡, 木野 日織, 出村 雅彦, 三澤 貴宏. 文部科学省データ創出・活用型 マテリアル研究開発プロジェクト (DxMT)　データ連携部会中核機関. 第16回材料系ワークショップ. 2023.
  16. 鈴木 拓, 山下 良之, 坂口 勲. 電極/ルチルTiO2単結晶の界面での電界に誘起された導電性の発現： 温度に依存する二つのメカニズム. 第84回応用物理学会秋季学術講演会. 2023.
  17. 吉武 道子, 長田 貴弘. マテリアルキュレーション®支援システム：事例研究. 第84回応用物理学会秋季学術講演会. 2023.
  18. 柳生 進二郎, 長田 貴弘. PYS(光電子収量)スペクトル解析におけるべき乗数の評価. 第84回応用物理学会秋季学術講演会. 2023.
  19. 柳生 進二郎, 長田 貴弘. セグメント回帰を用いたスペクトル前処理法. 第84回応用物理学会秋季学術講演会. 2023.
  20. YOSHITAKE, Michiko. Interdisciplinary utilization of scientific principles for materials R Materials Curation®. 6th International Conference on MATERIALS SCIENCE & NANOTECHNOLOGY (ICMSN 2023). 2023. 招待講演
  21. 石 一智, 吉川 英樹, 源 聡, 木野 日織, 出村 雅彦, 三澤 貴宏. 文部科学省データ創出・活用型 マテリアル研究開発プロジェクト (DxMT)　データ連携部会中核機関. 第9回 大型実験施設とスーパーコンピュータとの連携利用シンポジウム. 2023.
  22. YAMASHITA, Yoshiyuki. Atomic Structures and Chemical States for Active and Inactive Dopant Sites in GaN (0001). The 14-th International Symposium on Modern Optics and Its Applications. 2023. 招待講演
  23. 柳生 進二郎, 吉武 道子, 長田 貴弘, 知京 豊裕. サンプルマルチ診断のためのマテリアルシーケンサー開発. AIロボット駆動科学シンポジウム2023. 2023.
  24. 吉武 道子. データ整形とマテリアルズインフォマティクス. 第60回表面分析研究会. 2023. 招待講演
  25. ONAYA, Takashi, NABATAME, Toshihide, NAGATA, Takahiro, TSUKAGOSHI, Kazuhito, J. Kim. Role of interface reaction layer between ferroelectric HfxZr1−xO2 thin film and TiN electrode on endurance properties. INFOS2023 23rd CONFERENCE ON INSULATING FILMS ON SEMICONDUCTORS. 2023.
  26. 松本 明善, 石井 秋光, 柳生 進二郎, 西島 元, 松波 成行, 伴野 信哉, 細川 貴弘. データ駆動型超伝導線材の開発-ベイズ最適化を使った熱処理条件の探索-. 第105回 低温工学・超電導学会研究発表会. 2023.
  27. 吉武 道子. 科学原理を分野横断的に活用して材料開発：マテリアルキュレーション®. 日本化学会第103春季年会(2023). 2023. 招待講演
  28. 柳生 進二郎, 松本 明善, 松波 成行, 西島 元, 伴野 信哉, 石井 秋光, 吉武 道子, 長田 貴弘. べき乗則に従うスペクトルの解析. 第70回応用物理学会春季学術講演会. 2023.
  29. 女屋 崇, 長田 貴弘, 生田目 俊秀, 山下 良之, 塚越 一仁, 森田 行則. 分極疲労時の強誘電体HfxZr1−xO2/TiN界面反応に起因した酸素欠損生成の起源. 2023年　第70回応用物理学会春季学術講演会. 2023.
  30. 柳生 進二郎, 吉武 道子, 長田 貴弘, 安田 剛, 桑島 功, 劉雨彬. 光電子収量分光(PYS)スペクトルのデジタルデータベース構築. 第70回応用物理学会春季学術講演会. 2023.
  31. 吉武 道子, 小俣 香織. 接触面積制御型の非破壊電気コンタクト用ソフトプローブ. 第70回応用物理学会 春季学術講演会. 2023.
  32. 吉武 道子. マテリアルキュレーション®支援システムの事例. 第70回応用物理学会 春季学術講演会. 2023.
  33. 吉武 道子, 河野 洋行. マテリアルキュレーション®支援システムの概要. 第70回応用物理学会 春季学術講演会. 2023.
  34. NAGATA, Takahiro, 宝賀 剛, 山下 晶洸, 成 浩, YAGYU, Shinjiro, 小椋 厚志, CHIKYO, Toyohiro. Electronic state modification of (GaxIn1-x)2O3 solid solution thin film by combinatorial method. The 1st KOSEN International Research Symposium (KRIS2023). 2023. 招待講演
  35. 成 浩, 宝賀 剛, 上田 茂典, 知京 豊裕, 長田 貴弘. β-Ga2O3 構造の電子状態・欠陥制御における (GaxIn1-x)2O3 固溶体化の効果. 第28回 電子デバイス界面テクノロジー研究会. 2023.
  36. 女屋 崇, 生田目 俊秀, 森田 行則, 長田 貴弘, 塚越 一仁. TiN下部電極の表面酸化による強誘電体TiN/HfxZr1−xO2/TiNキャパシタの分極疲労の抑制. 第28回電子デバイス界面テクノロジー研究会. 2023.
  37. 大門 祐貴, 知京 豊裕, 小椋 厚志, 長田 貴弘. TFET用TixZn1-xO1+xチャネル層及びSi界面物性に熱処理が与える影響. 第28回 電子デバイス界面テクノロジー研究会. 2023.

その他の文献

2026
  1. 山下 良之, 蔡 宇華, Yusuke HASHIMOTO, Tomohiro MATSUSHITA, Piero MAZZOLINI. 光電子ホログラフィ法によるSiドープκ-Ga2O3(001)中Siドーパントの原子構造解明. 表面と真空. 69 [7] 346-351. 2026. Open Access
2025
  1. ペロブスカイト型構造における配位子の効果. 表面と真空. 68 [3] 193-193. 2025. Open Access