TFET用TixZn1-xO1+xチャネル層及びSi界面物性に熱処理が与える影響
(Effect of post annealing on physical properties of TixZn1-xO1+x channel and Si interface for tunnel FETs)
第28回 電子デバイス界面テクノロジー研究会. 2023年02月03日-2023年02月04日.
NIMS著者
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作成時刻: 2023-12-01 03:16:39 +0900更新時刻: 2023-12-01 03:16:39 +0900