Epitaxial growth and crystal structure transitions of Nb-doped (Ga <sub> <i>x</i> </sub> In <sub> 1− <i>x</i> </sub> ) <sub>2</sub> O <sub>3</sub> thin films on SrTiO <sub>3</sub> (111) substrates | 研究者総覧SAMURAI - 物質・材料研究機構 (NIMS)

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Epitaxial growth and crystal structure transitions of Nb-doped (Ga _x In _{1−
x} ) ₂ O ₃ thin films on SrTiO ₃ (111) substrates

Masaharu Watanabe, Masaaki Kobata, Tatsuo Fukuda, Kenta Ogawa, Hao Cheng, Toyohiro Chikyow, Atsushi Ogura, Takahiro Nagata.

Japanese Journal of Applied Physics 65 [8] 08SP17. 2026.

https://doi.org/10.35848/1347-4065/ae5bc4

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作成時刻: 2026-06-10 03:07:14 +0900 更新時刻: 2026-08-12 04:32:09 +0900

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