HOME > 口頭発表 > 書誌詳細HF 処理 Si 表面の大気中光電子収量分光におけるべき乗則の解析と放出機構の考察(Analysis of Power Law Exponent in Atmospheric Photoelectron Yield Spectroscopy of HF-treated Si Surfaces)柳生 進二郎, 長田 貴弘, 中島 嘉之. 2026年 第73回 応用物理学会 春季学術講演会. 2026年03月15日-2026年03月18日.NIMS著者柳生 進二郎長田 貴弘Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2026-07-29 03:08:04 +0900 更新時刻: 2026-07-29 03:08:04 +0900