トンネルFET用Ti0.3Zn0.7O1.3/Si接合の界面構造がトンネル電流特性に与える影響
(Effects of Interface Structure on Tunneling Current Properties of N-type Ti0.3Zn0.7O1.3/P-type Si for Tunnel FET)
第31回電子デバイス界面テクノロジー研究会. 2026年01月29日-2026年01月30日.
NIMS著者
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作成時刻: 2026-04-04 03:08:22 +0900 更新時刻: 2026-04-04 03:08:22 +0900