本研究では薄膜作製時における結晶成長の段階から欠陥を導入する手法を新たに提案し、新たな機能を有した超伝導膜を作製することを目的とする。本研究の多芯化技術の特徴はフォトリソグラフィーの技術を転用する。意図的に結晶粒の方位を制御、あるいは異なる物質を生成して、超伝導相と非超伝導相を分割して多芯化を達成する独自の技術である。左上図に薄膜作製方法の概念図を示した。基板上にフォトリソグラフィー技術によって目的とする形状のパターンを形成し、物理的蒸着等によってライン状の非超伝導層の核となる物質を堆積させた。その上にREBCO層を既存の手法を用いて堆積させた。右図は作製した薄膜の磁気光学像である。白いコントラストの非超伝導層によって黒い超伝導層が分離されていることが分かる。左下図のSTEM像においてSTO上では配向したYBCOが形成される一方で、Zr上においては不純物相も確認できSEM-EBSDによってSTO上とZr上で明らかに結晶組織が違うものを作製することができていることが分かる。Zr以外においても材質を変えることで、これらの特徴は変化させることが可能であり、応用先に合わせた材質の選択、パターンの適用が自由にできる。