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ナノアーキテクトニクス材料研究センター 半導体材料分野 超薄膜エレクトロニクスグループ

[論文] [書籍] [会議録] [口頭発表] [その他の文献]

論文

2026
  1. Wipakorn Jevasuwan, Toshihide Nabatame, Tomomi Sawada, Hiromi Miura, Takashi Onaya, Kazuhito Tsukagoshi, Naoki Fukata. Subnanometer silicon oxide growth on n-Si(100), (111), and (110) using ozonized water treatment. Materials Science in Semiconductor Processing. 216 111056-111056-8. 2026. Open Access
  2. Kuan-Cheng Lu, Pen-Yuan Shih, Pin-Hsien Lin, Shih-Hao Wu, Kimitoshi Kono, Wen-Bin Jian, Yu-Han Lin, Yo-Yao Ho, Ching-Hwa Ho, Shin-Yuan Wang, Chao-Hsin Chien, Ching-Yu Chiang, Shu-Jui Chang, Yu-Che Huang, Kenji Watanabe, Takashi Taniguchi, Kazuhito Tsukagoshi, Chenming Hu. Patternable laser-oxidized Ta2O5 dielectric and TaS2 contact for optimizing subthreshold swing of MoS2 field-effect transistors. Applied Surface Science Advances. 32 100955-100955-8. 2026. Open Access
  3. Yuya Fukuta, Souren Adhikary, Kazuhito Tsukagoshi, Katsunori Wakabayashi. Dilute magnetism and edge-state engineering in monolayer SnO. Nanoscale Advances. 8 [14] 4101-4108. 2026. Open Access
  4. Sneha Yadav, Satoshi Sugimoto, Sandip Chatterjee, Kazuhito Tsukagoshi, Shinya Kasai. Long-range modulation of skyrmion population by local current injection. Applied Physics Letters. 129 [1] 012403-1-012403-6. 2026. Open Access
  5. Toshihide Nabatame, Takashi Onaya. Features of atomic layer deposition and its application to electronic devices. Applied Physics Express. 19 [7] 070105-070105-33. 2026. Open Access
  6. Toshihide Nabatame, Yoshihiro Irokawa, Tomomi Sawada, Hiromi Miura, Manami Miyamoto, Takashi Onaya, Yasuo Koide, Kazuhito Tsukagoshi. Characteristics of β -Ga 2 O 3 /Al 2 O 3 /Pt Capacitors with a Ga 2 O 3 Surface Modified Using the Dummy-SiO 2 Process. ECS Journal of Solid State Science and Technology. 15 [6] 064005-064005-6. 2026. Open Access
  7. Seiichi Kato, Masayuki Okamura, Tomomi Sawada, Toshihide Nabatame, Kazuhito Tsukagoshi. Oxygen reduction for p-type TeOx thin-film transistor. Applied Physics Letters. 128 [21] 212109-1-212109-6. 2026. Open Access
  8. Haoming Che, Takashi Onaya, Atsushi Tamura, Masaki Ishii, Hiroshi Taka, Koji Kita. Effects of oxidant selection for atomic layer deposition on impurity removal and crystallinity of as-grown Hf1− x Zr x O2 thin films. Journal of Vacuum Science & Technology A. 44 [3] 030402-1-030402-7. 2026. Open Access
  9. Yoshihiro Irokawa, Mamoru Usami, Jun Uzuhashi, Tadakatsu Ohkubo, Toshihide Nabatame, Yasuo Koide. Investigation of Deep States in GaN Metal-Oxide-Semiconductor Interfaces. ECS Journal of Solid State Science and Technology. 15 [5] 055002-055002-9. 2026. Open Access
  10. Takashi Onaya, Toshihide Nabatame. Interface engineering of HfO 2 -based ferroelectric devices for crystal phase control and enhanced ferroelectricity using atomic-layer-deposited ZrO 2 nucleation layers. Japanese Journal of Applied Physics. 65 [8] 080804-080804-15. 2026. Open Access
  11. Jun Uzuhashi, Yoshihiro Irokawa, Toshihide Nabatame, Yasuo Koide, Tadakatsu Ohkubo. Atomic-scale observation of native oxides on c - and m -faced GaN surfaces. AIP Advances. 16 [4] 045004-1-045004-5. 2026. Open Access
  12. Kuan-Cheng Lu, Chetan Awasthi, Ta-Wei Chiu, S. S. Islam, Kimitoshi Kono, Kazuhito Tsukagoshi, Wen-Bin Jian. Optimizing thermal energy harvesting in few-layer MoS2 with measurements of electron's effective mass in two-dimensional semiconductors. Applied Physics Reviews. 13 [1] 011408-1-011408-9. 2026. Open Access
  13. Risako Hamase, Kanji Homma, Tomoaki Nishino, Kazuhito Tsukagoshi, Satoshi Kaneko. Optical atomic switch utilizing a molecular junction. Journal of Materials Chemistry C. 14 [5] 1805-1810. 2026. Open Access
  14. Tatsuki Tsugawa, Kazuto Hatakeyama, Junya Kawasaki, Agamoni Pathak, Kazuhito Tsukagoshi, Shintaro Ida, Takaaki Taniguchi. Electrochemically Driven Tandem In‐Plane Reduction and FeCl 3 ‐ Intercalation of Highly Crystalline Graphene Oxide Thin Films. Advanced Functional Materials. 36 [2] e10430-1-e10430-12. 2026. Open Access
2025
  1. Che-Yi Lin, Yu-Ching Kuo, I-Chen Liu, Feng-Shou Yang, Yuan-Ming Chang, Po-Wen Chiu, Toshihide Nabatame, Mengjiao Li, Kazuhito Tsukagoshi, Yen-Fu Lin. Oxygen-pressure driven balancing of interface and bulk scattering in amorphous oxide semiconductor thin-film transistors. Materials Today Electronics. 14 100171-100171-7. 2025. Open Access
  2. Yuta Shuseki, Akihiko Fujiwara, Nobuhiko Mitoma, Takio Kizu, Toshihide Nabatame, Kazuhito Tsukagoshi, Yohei Onodera, Atsunobu Masuno, Koji Ohara, Shinji Kohara. Structural analysis of Si-doped amorphous In2O3 based on quantum beam measurements and computer simulations. Scientific Reports. 15 [1] 36662-1-36662-12. 2025. Open Access
  3. Takatsugu Wakahara, Chika Hirata, Dorra Mahdaoui, Kazuko Fujii, Yoshitaka Matsushita, Osamu Ito, Makito Takagi, Tomomi Shimazaki, Masanori Tachikawa, Shinjiro Yagyu, Yubin Liu, Yoshiyuki Nakajima, Takuro Nagai, Kazuhito Tsukagoshi. One-dimensional C60 arrays in noncovalent benzidine networks. Carbon. 233 119838-119838-8. 2025. Open Access
  4. Masahiro Hara, Toshihide Nabatame, Yoshihiro Irokawa, Tomomi Sawada, Manami Miyamoto, Hiromi Miura, Tsunenobu Kimoto, Yasuo Koide. A three-step surface treatment and its impacts on electrical properties of c- and m-face GaN/Al2O3 MOS structures. Materials Science in Semiconductor Processing. 196 109606-109606-7. 2025. Open Access
  5. Jiangwei Liu, Tokuyuki Teraji, Bo Da, Yasuo Koide. Boron-doped diamond MOSFETs operating at temperatures up to 400°C. Functional Diamond. 5 [1] 2450513-1-2450513-6. 2025. Open Access
  6. Keyun Gu, Zilong Zhang, Zhaozong Zhang, Jian Huang, Yasuo Koide, Satoshi Koizumi, Meiyong Liao. Optical properties of single-crystal diamond MEMS: mitigating substrate interference. Functional Diamond. 5 [1] 2570362-1-2570362-9. 2025. Open Access
  7. Kento Nishigomi, Yu Yi, Souren Adhikary, Kazuhito Tsukagoshi, Katsunori Wakabayashi. Strain effects on the electronic properties of cobalt-based coordination nanosheets. Nanoscale Advances. 7 [21] 6964-6971. 2025. Open Access
  8. Masato Takei, Akira Takatsuki, Katsunori Wakabayashi, Satoshi Kaneko, Hiroshi Suga, Yasuhisa Naitoh, Kazuhito Tsukagoshi. Conductance Switching in an Asymmetric Single-Molecule Junction. ACS Applied Materials & Interfaces. 58926-58932. 2025. Open Access
  9. Wen Zhao, Guo Chen, Tokuyuki Teraji, Yasuo Koide, Masaya Toda, Meiyong Liao. Ultra‐High Sensitivity, Wide‐Range Thermometry Based on High‐Quality Microscale Diamond Resonators. Advanced Materials. 37 [42] e02012-1-e02012-10. 2025. Open Access
  10. Jun Uzuhashi, Yoshihiro Irokawa, Toshihide Nabatame, Tadakatsu Ohkubo, Yasuo Koide. Observation of Atomic-Scale Structural Changes in Al2O3/GaN Interfacial Layers Prepared with a Dummy-SiO2 Process. ECS Journal of Solid State Science and Technology. 14 [8] 085001-085001-4. 2025. Open Access
  11. J. Liu, T. Teraji, B. Da, Y. Koide. Normally-off boron-doped diamond MOSFETs with a breakdown voltage over 1.7 kV. Applied Physics Letters. 127 [4] 042601-1-042601-4. 2025. Open Access
  12. Moe Ichikawa, Kazuhito Tsukagoshi, Tomoaki Nishino, Satoshi Kaneko. Contact Geometry Selection in the Formation Process of a Single-Molecule Junction Elucidated by Surface-Enhanced Raman Scattering Spectroscopy and I–V Measurements: Deliberate Control of Molecule–Electrode Interface for Molecular Electronics. ACS Applied Nano Materials. 8 [27] 13620-13627. 2025. Open Access
  13. Keyun Gu, Zilong Zhang, Jian Huang, Yasuo Koide, Satoshi Koizumi, Meiyong Liao. Surface desorption properties of hydrogen-terminated diamond detected by micromechanical resonator. Applied Physics Letters. 126 [22] 221901-1-221901-6. 2025. Open Access
  14. Dhruba B. Khadka, Yan-Chen Kuo, Yi Zhen Li, Muhammad Waqas, You-Jia Xu, Masatoshi Yanagida, Hiroshi Nishihara, Kazuhito Tsukagoshi, Mitch M. C. Chou, Yasuhiro Shirai, Ying-Chiao Wang. Coordination Nanosheets Stabilizing Efficient Tin-Based Perovskite Solar Cells. ACS Applied Materials & Interfaces. 17 [18] 26813-26822. 2025. Open Access
  15. Keyun Gu, Kongping Wu, Zilong Zhang, Takeo Ohsawa, Jian Huang, Yasuo Koide, Masaya Toda, Meiyong Liao. Synergistic Effect of Surface States and Deep Defects for Ultrahigh Gain Deep‐Ultraviolet Photodetector with Low‐Voltage Operation. Advanced Functional Materials. 35 [14] 2420238-1-2420238-10. 2025. Open Access
  16. Wen Zhao, Guo Chen, Keyun Gu, Masaya Toda, Yasuo Koide, Meiyong Liao. High-order resonance enhancing the mass sensitivity of diamond cantilevers. APL Materials. 13 [4] 041124-1-041124-11. 2025. Open Access
  17. Keyun Gu, Zilong Zhang, Takeo Ohsawa, Masataka Imura, Jian Huang, Yasuo Koide, Meiyong Liao. Photo-response performance regulation of a type-Ib diamond-based photodetector by H2 annealing and ozone treatment. Journal of Materials Chemistry C. 13 [13] 6816-6822. 2025. Open Access
  18. Hiroaki Maeda, Eunice Jia Han Phua, Yuta Sudo, Sayoko Nagashima, Wentai Chen, Mayumi Fujino, Kenji Takada, Naoya Fukui, Hiroyasu Masunaga, Sono Sasaki, Kazuhito Tsukagoshi, Hiroshi Nishihara. Synthesis of Bis(diimino)palladium Nanosheets as Highly Active Electrocatalysts for Hydrogen Evolution. Chemistry – A European Journal. 31 [6] e202403082-1-e202403082-7. 2025. Open Access
  19. Monika R. Snowdon, Ekaterina V. Sukhanova, Zakhar I. Popov, Shisheng Li, Leanddas Nurdiwijayanto, Takaaki Taniguchi, Shinsuke Ishihara, Takeshi Tanaka, Hiromichi Kataura, Kazuhito Tsukagoshi, Robert L. F. Liang, Marina Freire-Gormaly, Derek J. Schipper, Dmitry G. Kvashnin, Dai-Ming Tang. Iptycene-Assisted Alignment of Chirality-Sorted SWCNTs for Field-Effect Transistors. ACS Applied Nano Materials. 8 [2] 944-951. 2025. Open Access

書籍

会議録

口頭発表

2026
  1. 川崎颯太, 菅洋志, 塚越 一仁. C60及びC70フラーレン素子の抵抗変化における分子構造依存性. 日本材料科学会 第 31 回 若手研究者討論会. 2026.
  2. 高月輝, 菅洋志, 塚越 一仁. 高誘電材料SrTiO3基板上でのフラーレントランジスタの作製と伝導評価. 日本材料科学会 第 31 回 若手研究者討論会. 2026.
  3. 鎗田大義, 菅洋志, 塚越 一仁. フラーレン抵抗変化素子の高温時保持特性. 日本材料科学会 第 31 回 若手研究者討論会. 2026.
  4. 本間 寛治, 西野 智昭, 塚越 一仁, 金子 哲. SERS信号と電流の同時計測に基づくNDT単分子接合におけるSERSのBlinking現象の機構解明. 第20回分子科学討論会. 2026.
  5. NABATAME, Toshihide, ONAYA, Takashi, 澤田 朋実, 三浦 博美, 宮本 真奈美, TSUKAGOSHI, Kazuhito, IROKAWA, Yoshihiro. Improvement of electrical properties of Al2O3 capacitors on (001) and (010) planes of β-Ga2O3 using dummy-SiO2 process. European Materials Research Society (E-MRS) 2026 Fall Meeting. 2026.
  6. Yukinori Morita, Takamasa Kawanago, Takefumi Kamioka, Yuichiro Mitani, NABATAME, Toshihide, ONAYA, Takashi, FUKATA, Naoki, JEVASUWAN, Wipakorn, TSUKAGOSHI, Kazuhito, Takuya Hoshii, Kasidit Toprasertpong, Atsushi Tamura, Koji Kita, Naoya Okada, Kenzo Manabe, Wataru Mizubayashi, Hiroyuki Ota, Takashi Matsukawa, Shinji Migita. Impact of Ultrathin Oxygen-Passivated Interfacial Layer on Electron Mobility of High-k Gate Stacks. SSDM 2026 (2026 International Conference on Solid State Devices and Materials、国際固体素子・材料コンファレンス). 2026.
  7. ONAYA, Takashi, NABATAME, Toshihide, NAGATA, Takahiro, TSUKAGOSHI, Kazuhito. Improvement of Endurance Properties in Ferroelectric HfxZr1−xO2 Thin Films by Designing Interfaces Using Oxygen Blocking Layers. 2026 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2026). 2026.
  8. Takefumi Kamioka, NABATAME, Toshihide, Takashi Matsukawa, Takamasa Kawanago, Yukinori Morita, Kasidit Toprasertpong, Yuichiro Mitani, ONAYA, Takashi, FUKATA, Naoki, JEVASUWAN, Wipakorn, TSUKAGOSHI, Kazuhito, Takuya Hoshii, Atsushi Tamura, Koji Kita, Naoya Okada, Kenzo Manabe, Wataru Mizubayashi, Hiroyuki Ota, Shinji Migita. Flat-Band Voltage Control and Variability Using an Ultra-Thin Al2O3 Dipole Layer: Analysis of Dipole and Fixed Charges. SSDM 2026 (2026 International Conference on Solid State Devices and Materials、国際固体素子・材料コンファレンス). 2026.
  9. 若原 孝次, 藤井 和子, 松下 能孝, 高木牧人, 島崎智実, 立川仁典, 柳生 進二郎, 中島嘉之, 長井 拓郎, 塚越 一仁. 非共有結合ベンジジンネットワーク内での一次元 C60配列. 第36回基礎有機化学討論会. 2026.
  10. 森田 行則, 川那子 高暢, 神岡 武文, 三谷 祐一郎, 生田目 俊秀, 女屋 崇, 深田 直樹, ジェバスワン ウイパコーン, 塚越 一仁, 星井 拓也, トープラサートポン カシディット, 田村 敦史, 喜多 浩之, 岡田 直也, 間部 謙三, 水林 亘, 太田 裕之, 松川 貴, 右田 真司. 低熱負荷（500 ℃）酸素パッシベーション界面層（O-PAS IL）による極薄CET（〜0.9 nm）High-kゲートスタック形成. 2026年 第87回応用物理学会秋季学術講演会. 2026.
  11. 杉本 紘基, 高月 輝, 塚越 一仁, 内藤 泰久, 菅 洋志. 高温環境下におけるAuPd混合ナノギャップ電極のナノギャップスイッチ効果. 2026年 第87回応用物理学会秋季学術講演会. 2026.
  12. 水谷 文一, 高橋 伸尚, 澤田 朋実, 生田目 俊秀. 液体原料（Sn(EtCp)2）によるp型SnO薄膜の原子層堆積. 2026年第87回応用物理学会秋季学術講演会. 2026.
  13. 生田目 俊秀, 澤田 朋実, 三浦 博美, 宮本 真奈美, 女屋 崇, 塚越 一仁, 深田 直樹, ジェバスワン ウイパコーン, 右田 真司. 新規なLaTiO及びAlTiOダイポール層によるHfZrOキャパシタのVfb調整. 2026年 第87回応用物理学会秋季学術講演会. 2026.
  14. 神岡 武文, 生田目 俊秀, 松川 浩之, 川那子 高暢, 森田 行則, トープラサートポン カシディット, 三谷 祐一郎, 女屋 崇, 深田 直樹, ジェバスワン ウイパコーン, 塚越 一仁, 喜多 浩之, 田村 敦史, 星井 拓也, 岡田 直也, 間部 謙三, 水林 亘, 太田 裕之, 松川 貴, 右田 真司. マルチVth制御に向けたTiO2混合ダイポール層によるVfb制御の検討. 2026年 第87回応用物理学会秋季学術講演会. 2026.
  15. 女屋 崇, 生田目 俊秀, 長田 貴弘, 塚越 一仁. HfO2系強誘電体デバイスの電界誘起界面反応に起因したエンデュランス劣化現象の抑制に寄与する重要因子に関する考察. 2026年 第87回応用物理学会秋季学術講演会. 2026.
  16. 阿部 駿斗, 梅田 有輝也, 菅 洋志, 若原 孝次, 塚越 一仁. トップコンタクト構造によるC70フラーレンナノシートトランジスタの電子移動度向上. 2026年 第87回応用物理学会秋季学術講演会. 2026.
  17. 阿部 駿斗, 梅田 有輝也, 菅 洋志, 若原 孝次, 塚越 一仁. トップコンタクト構造を有するC70フラーレンナノシートトランジスタの作製と評価. 2026年 第87回応用物理学会秋季学術講演会. 2026.
  18. 森田 行則, 川那子 高暢, 神岡 武文, 三谷 祐一郎, 生田目 俊秀, 女屋 崇, 深田 直樹, ジェバスワン ウイパコーン, 塚越 一仁, 星井 拓也, トープラサートポン カシディット, 田村 敦史, 喜多 浩之, 岡田 直也, 間部 謙三, 水林 亘, 太田 裕之, 松川 貴, 右田 真司. 2nm以細技術ノードに向けたhigh-k/メタルゲートスタックのCETスケーリング：展望と課題. シリコン材料・デバイス研究専門委員会（Silicon Devices and Materials: SDM）. 2026. 招待講演
  19. ONAYA, Takashi, NABATAME, Toshihide, NAGATA, Takahiro, TSUKAGOSHI, Kazuhito. Design of Interface Formation Process for Superior Ferroelectricity and Enhanced Fatigue Resistance in HfxZr1−xO2-Based Ferroelectric Devices. AVS 26th International Conference on Atomic Layer Deposition (ALD 2026). 2026.
  20. ONAYA, Takashi, Haoming Che, 髙久 理名, 喜多 浩之, NABATAME, Toshihide. Design of Ferroelectric HfxZr1−xO2 Thin Films and Interfaces Formation Process by Using Atomic Layer Deposition. 249th ECS Meeting. 2026. 招待講演
  21. TSUKAGOSHI, Kazuhito. Nanoscale switch using fullerene. Symposium of Taiwan Consortium of Emergent Crystalline Materials (TCECM 2026). 2026. 招待講演
  22. 女屋 崇. HfO2系強誘電体デバイスの界面設計に基づく強誘電性の向上. 日本学術振興会 R071革新的薄膜界面委員会 第4回委員会 第2回研究会. 2026. 招待講演
  23. TSUKAGOSHI, Kazuhito. Resistance Switch in a Minimal-Fullerene devices. Semiconductor Workshop « Japan-EU Cooperation on Advanced Computing, Advanced Functionalities and Semiconductor Value Chain. 2026. 招待講演
  24. 髙久 理名, 女屋 崇, 田村 敦史, 喜多 浩之. 最表面に ZrO2層を有する強誘電性 HfxZr1-xO2薄膜の結晶相の深さ方向分布の理解. 2026年 第73回 応用物理学会 春季学術講演会. 2026.
  25. 生田目 俊秀, 澤田 朋実, 三浦 博美, 宮本 真奈美, 女屋 崇, 塚越 一仁, 深田 直樹, ジェバスワン ウイパコーン, 右田 真司. PDAによるALD-La2O3及びALD-Al2O3ダイポール効果の変化. 2026年 第73回応用物理学会春季学術講演会. 2026.
  26. Yukinori Morita, Takamasa Kawanago, Takefumi Kamioka, Yuichiro Mitani, NABATAME, Toshihide, ONAYA, Takashi, FUKATA, Naoki, JEVASUWAN, Wipakorn, TSUKAGOSHI, Kazuhito, Takuya Hoshii, Kasidit Toprasertpong, Koji Kita, Naoya Okada, Kenzo Manabe, Wataru Mizubayashi. Oxygen-Passivated (O-PAS) Interfacial Layer for Ultra-Scaled (CET 0.97 nm) High-k Gate Stacks. 10th IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing (EDTM) Conference 2026. 2026.
  27. 髙久 理名, 女屋 崇, 田村 敦史, 喜多 浩之. 強誘電HfxZr1-xO2薄膜における最表面ZrO2層駆動の結晶化促進メカニズムの理解. 第31回 電子デバイス界面テクノロジー研究会 －材料・プロセス・デバイス特性の物理－. 2026.
  28. Haoming Che, ONAYA, Takashi, 田村 敦史, 石井 政輝, 髙 洋志, 喜多 浩之. Intrinsic superiority of H2O2 in promoting low temperature crystallization of ALD-grown HZO thin films over H2O. 第31回 電子デバイス界面テクノロジー研究会 －材料・プロセス・デバイス特性の物理－. 2026.
2025
  1. NABATAME, Toshihide, IROKAWA, Yoshihiro, 澤田 朋実, 宮本 真奈美, 三浦 博美, KOIDE, Yasuo, TSUKAGOSHI, Kazuhito. Effect of atmospheric gas in the dummy-SiO2 technique on the characteristics of beta-Ga2O3/Al2O3/Pt capacitors. 56th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference. 2025.
  2. TSUKAGOSHI, Kazuhito. Resistance Switch in a Minimal-Fullerene Chain. Advanced Materials and Nanostructures for Future Science and Technologies. 2025. 招待講演
  3. 女屋 崇. 強誘電性の向上へ向けたHfO2系強誘電体薄膜と電極の界面設計の重要性. 電気学会C部門 電子材料研究会「マルチ機能デバイス実現に向けた材料、プロセス・評価技術の開拓」. 2025. 招待講演
  4. NABATAME, Toshihide, IROKAWA, Yoshihiro, 澤田 朋実, 三浦 博美, 宮本 真奈美, ONAYA, Takashi, TSUKAGOSHI, Kazuhito. Improvement of electrical properties of Ga2O3/Al2O3/Pt capacitors using the ALD-dummy-SiO2 process. 38th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2025). 2025.
  5. WAKAHARA, Takatsugu, HIRATA, Chika, 古澤 佐知子, FUJII, Kazuko, 伊藤 攻, MATSUSHITA, Yoshitaka, YAGYU, Shinjiro, 高木牧人, 島崎智実, 立川仁典, 中島嘉之, TSUKAGOSHI, Kazuhito. Low-Dimensional Fullerene/Donor Cocrystals. 第35回日本MRS年次大会. 2025.
  6. 髙久 理名, ONAYA, Takashi, 田村 敦史, 喜多 浩之. Crystallization Mechanism Driven by the Topmost ZrO2 Layer in HfxZr1-xO2 Films based on Stacking-Structure-Dependent Crystallization Kinetics. 10th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-X), the International Conference on Silicon Epitaxy and International SiGe Technology and Device Meeting (ICSI/ISTDM 2025). 2025.
  7. Haoming Che, ONAYA, Takashi, 田村 敦史, 石井 政輝, 髙 洋志, 喜多 浩之. Impacts of oxidant selection and oxidant exposure time in ALD growth on crystallization of as-deposited HZO thin films. 2025 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices –Science and Technology– (IWDTF 2025). 2025.
  8. NABATAME, Toshihide. Unique techniques of ALD for semiconductor devices. IWDTF2025 (2025 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices). 2025. 招待講演
  9. ONAYA, Takashi. Interface Engineering for Crystal Phase Control and High Fatigue Resistance in Ferroelectric HfO2-Based Thin Films. 2025 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices: Science and Technology (IWDTF 2025). 2025. 招待講演
  10. 若原 孝次, 平田 千佳, 古澤 佐知子, 藤井 和子, 伊藤 攻, 松下 能孝, 柳生 進二郎, 高木 牧人, 島崎 智実, 立川 仁典, 中島 嘉之, 塚越 一仁. フラーレンを用いた低次元D-A共結晶の作製. 第33回有機結晶シンポジウム. 2025.
  11. NABATAME, Toshihide, 澤田 朋実, IROKAWA, Yoshihiro, 宮本 真奈美, 三浦 博美, KOIDE, Yasuo, TSUKAGOSHI, Kazuhito. Influence of Ga2O3/Al2O3 interface on characteristics of Ga2O3 capacitors. 248th ECS Meeting. 2025. 招待講演
  12. ONAYA, Takashi. Impact of Ferroelectric HfxZr1−xO2/TiN Interface Design on Ferroelectricity and Fatigue Behavior of Metal-Ferroelectric-Metal Capacitors. 248th ECS Meeting (Electrochemical Society Meeting). 2025. 招待講演
  13. 高久 理名, ONAYA, Takashi, 田村 敦史, 喜多 浩之. Clarification of the Mechanism of Crystallization by the Topmost ZrO2 Layer in ZrO2/Hf0.5Zr0.5O2 Stack. 2025 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2025). 2025.
  14. 若原 孝次, 藤井 和子, 伊藤 攻, 劉雨彬, 中島嘉之, 宮澤 薫一, 高木牧人, 島崎智実, 立川仁典, 柳生 進二郎, 塚越 一仁. ナノシートトランジスタにおけるアンビポーラからユニポーラへの不可逆スイッチング：フラーレン／フェロセンナノシートにおけるフェロセンの役割. 第35回基礎有機化学討論会. 2025.
  15. 本間寛治, 金子哲, 塚越 一仁, 西野智昭. SERSと電子輸送特性の同時計測に立脚したポルフィリン単分子接合の構造変化の解明. 第86回応用物理学会秋季学術講演会. 2025.
  16. LIU, Jiangwei, KOIDE, Yasuo. Gate Oxide Insulators on Surface-Channeled Diamond for Metal-Oxide-Semiconductor Electronic Devices. IEEE ICIEA 2025 (The 20th IEEE Conference on Industrial Electronics and Applications). 2025.
  17. NABATAME, Toshihide, IROKAWA, Yoshihiro, 澤田 朋実, 三浦 博美, 宮本 真奈美, KOIDE, Yasuo, TSUKAGOSHI, Kazuhito. Structural change of Ga2O3 layer formed on GaN(0001) substrate under various fabrication conditions. THERMEC'2025. 2025. 招待講演
  18. 女屋 崇. 原子層堆積法を用いた薄膜形成プロセスにおける酸化剤の重要性. 特定非営利活動法人日本オゾン協会 第34回年次研究講演会. 2025. 招待講演
  19. Fumikazu Mizutani, Nobutaka Takahashi,, 澤田 朋実, NABATAME, Toshihide. Atomic Layer Deposition of High-Quality SnO Thin Films Using Sn(EtCp) Precursor. The AVS 25th International Conference on Atomic Layer Deposition (ALD/ALE 2025). 2025.
  20. Shinya Aikawa, NABATAME, Toshihide, TSUKAGOSHI, Kazuhito. Thin-Film Transistors Based on In2O3 Semiconductors Incorporating Higher Oxygen Binding Energy Additives. Compound Semiconductor Week 2025. 2025. 招待講演
  21. TSUKAGOSHI, Kazuhito, NABATAME, Toshihide. Doping control in metal oxide TFT. 2025 NYCU-TSRI-NIMS Mini-Workshop. 2025. 招待講演
  22. 顧 克云, ジャン ジロン, Jian Huang, KOIDE, Yasuo, LIAO, Meiyong. Ultrahigh Gain Diamond Deep-ultraviolet Photodetector Due to Surface Hydrogen Termination and Deep defects. The 18th International Conference on New Diamond and Nano Carbons (NDNC 2025). 2025. Open Access
  23. 陳 果, ザオ ウェン, 顧 克云, KOIZUMI, Satoshi, KOIDE, Yasuo, LIAO, Meiyong. High Quality Factor Single-Crystal Diamond NEMS Cantilevers Fabricated by A Smart-Cut Method. The 18th International Conference on New Diamond and Nano Carbons (NDNC 2025). 2025. Open Access
  24. LIU, Jiangwei, TERAJI, Tokuyuki, DA, Bo, KOIDE, Yasuo. Binding energy calibration and interfacial band bending clarification for Al2O3/diamond heterojunction. NDNC 2025 18th International Conference on New Diamond and Nano Carbons. 2025.
  25. LIU, Jiangwei, TERAJI, Tokuyuki, DA, Bo, KOIDE, Yasuo. Boron-doped Diamond MOSFETs working from room temperature to 400 ℃. NDNC 2025 18th International Conference on New Diamond and Nano Carbons. 2025.
  26. 顧 克云, ジャン ジロン, ザオ ウェン, 陳 果, KOIDE, Yasuo, KOIZUMI, Satoshi, LIAO, Meiyong. Revealing the Surface Adsorbates of Diamond Using MEMS Resonators. The 18th International Conference on New Diamond and Nano Carbons (NDNC 2025). 2025. Open Access
  27. ザオ ウェン, TERAJI, Tokuyuki, KOIZUMI, Satoshi, KOIDE, Yasuo, LIAO, Meiyong. Ultra-High-Resolution Thermometer Based on Diamond MEMS. The 18th International Conference on New Diamond and Nano Carbons (NDNC 2025). 2025. Open Access
  28. TSUKAGOSHI, Kazuhito. Resistance Switch in a Minimal-Fullerene Chain in Vertically Stacked Structures. Symposium of Taiwan Consortium of Emergent Crystalline Materials (TCECM2025). 2025. 招待講演
  29. 塚越 一仁. フラーレンを用いた実ナノサイズスイッチへの試み. 岡山大学異分野基礎科学研究セミナー. 2025.
  30. 西岡 大貴, 並木 航, 髙栁 真, 井村 将隆, 小出 康夫, 樋口透, 寺部 一弥, 土屋 敬志. 固体電気二重層型イオンゲーティングリザバーによる神経様情報処理とカオスの縁学習. 2025年 第72回応用物理学会春季学術講演会. 2025. 招待講演
  31. 若原 孝次, 松下 能孝, 藤井 和子, 宮澤 薫一, 伊藤 攻, 高木牧人, 島崎智実, 立川 仁典, 塚越 一仁. 一次元フラーレン/ポルフィリン共結晶による近赤外センシング. 第68回 フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム. 2025.
  32. 生田目 俊秀. 半導体プロセスに欠かせないALD技術. 第256回 Siナノテクノロジー研究委員会 研究集会. 2025. 招待講演
  33. 生田目 俊秀. まだまだ奥深いALD（原子層堆積）技術. 第30回 電子デバイス界面テクノロジー研究会 (EDIT 30). 2025. 招待講演
  34. TSUKAGOSHI, Kazuhito. Resistance Switch in a Minimal-Fullerene Chain. 2nd International Symposium on Carbon Materials for Energy, Environment, Sustainability, and Bio-applications (ISCM-2 2025). 2025. 招待講演

その他の文献

2025
  1. LIU, Jiangwei, TERAJI, Tokuyuki, DA, Bo, KOIDE, Yasuo. Binding energy calibration for diamond with Au4f during the XPS measurement. New Diamond. 41 [2] 33-35. 2025. Open Access
  2. 女屋 崇. 研究室を訪ねて. Ozonews in Japan. 135 14-14. 2025. Open Access
  3. Fumikazu MIZUTANI, Nobutaka TAKAHASHI, Toshihide NABATAME. Atomic Layer Deposition of Polycrystalline Tin Dioxide Thin Films Using Liquid Bis（ethylcyclopentadienyl）tin. Journal of The Surface Finishing Society of Japan. 76 [12] 598-602. 2025. Open Access