HOME > Presentation > DetailHfO2系強誘電体デバイスの界面設計に基づく強誘電性の向上女屋 崇. 日本学術振興会 R071革新的薄膜界面委員会 第4回委員会 第2回研究会. 2026-04-16. InvitedNIMS author(s)ONAYA, TakashiFulltext and dataset(s) on Materials Data Repository (MDR)Created at: 2026-06-18 03:06:26 +0900 Updated at: 2026-06-18 03:06:26 +0900