Intrinsic superiority of H2O2 in promoting low temperature crystallization of ALD-grown HZO thin films over H2O
(ALD-HZO薄膜の低温結晶化におけるH2O2酸化剤のH2O酸化剤に対する本質的優位性)
第31回 電子デバイス界面テクノロジー研究会 －材料・プロセス・デバイス特性の物理－. 2026年01月29日-2026年01月30日.
NIMS著者
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作成時刻: 2026-07-31 03:07:56 +0900 更新時刻: 2026-07-31 03:07:56 +0900