HOME > Presentation > Detail
Intrinsic superiority of H2O2 in promoting low temperature crystallization of ALD-grown HZO thin films over H2O
(ALD-HZO薄膜の低温結晶化におけるH2O2酸化剤のH2O酸化剤に対する本質的優位性)
第31回 電子デバイス界面テクノロジー研究会 －材料・プロセス・デバイス特性の物理－. January 29, 2026-January 30, 2026.
NIMS author(s)
_%E5%A5%B3%E5%B1%8B%E5%B4%87.jpg)
Fulltext and dataset(s) on Materials Data Repository (MDR)
Created at: 2026-07-31 03:07:56 +0900 Updated at: 2026-07-31 03:07:56 +0900