HOME > 口頭発表 > 書誌詳細強誘電HfxZr1-xO2薄膜における最表面ZrO2層駆動の結晶化促進メカニズムの理解(Understanding Crystallization Enhancing Mechanism in Ferroelectric Thin HfxZr1-xO2 Films Driven by the Topmost ZrO2 Layer)髙久 理名, 女屋 崇, 田村 敦史, 喜多 浩之. 第31回 電子デバイス界面テクノロジー研究会 -材料・プロセス・デバイス特性の物理-. 2026年01月29日-2026年01月30日.NIMS著者女屋 崇Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2026-07-31 03:07:56 +0900 更新時刻: 2026-07-31 03:07:56 +0900