SAMURAI - NIMS Researchers Database

HOME > プロフィール > 渡辺 英一郎

  • 論文・発表

[研究論文] |[書籍] |[会議録] |[口頭発表] |[特許]

研究論文 TSV

2016
  1. Tsuyoshi Nishi, Nobuhiko Ozaki, Yoichi Oikawa, Kunio Miyaji, Hirotaka Ohsato, Eiichiro Watanabe, Naoki Ikeda, Yoshimasa Sugimoto. High-resolution and nondestructive profile measurement by spectral-domain optical coherence tomography with a visible broadband light source for optical-device fabrication. Japanese Journal of Applied Physics. 55 [8S3] (2016) 08RE05 10.7567/jjap.55.08re05
  2. Takahiro Mori, Naruki Ninomiya, Toshitaka Kubo, Noriyuki Uchida, Eiichiro Watanabe, Daiju Tsuya, Satoshi Moriyama, Masatoshi Tanaka, Atsushi Ando. Characterization of Effective Mobility and Its Degradation Mechanism in MoS2MOSFETs. IEEE Transactions on Nanotechnology. 15 [4] (2016) 651-656 10.1109/tnano.2016.2570280
  3. Takuma YASUDA, Nobuhiko OZAKI, Hiroshi SHIBATA, Shunsuke OHKOUCHI, Naoki IKEDA, Hirotaka OHSATO, Eiichiro WATANABE, Yoshimasa SUGIMOTO, Richard A. HOGG. Electrically Driven Near-Infrared Broadband Light Source with Gaussian-Like Spectral Shape Based on Multiple InAs Quantum Dots. IEICE Transactions on Electronics. E99.C [3] (2016) 381-384 10.1587/transele.e99.c.381
  4. Nobuhiko Ozaki, David T. D. Childs, Jayanta Sarma, Timothy S. Roberts, Takuma Yasuda, Hiroshi Shibata, Hirotaka Ohsato, Eiichiro Watanabe, Naoki Ikeda, Yoshimasa Sugimoto, Richard A. Hogg. Superluminescent diode with a broadband gain based on self-assembled InAs quantum dots and segmented contacts for an optical coherence tomography light source. Journal of Applied Physics. 119 [8] (2016) 083107 10.1063/1.4942640
2015
  1. Naruki Ninomiya, Takahiro Mori, Noriyuki Uchida, Eiichiro Watanabe, Daiju Tsuya, Satoshi Moriyama, Masatoshi Tanaka, Atsushi Ando. Fabrication of high-k/metal-gate MoS2field-effect transistor by device isolation process utilizing Ar-plasma etching. Japanese Journal of Applied Physics. 54 [4] (2015) 046502 10.7567/jjap.54.046502
  2. Hiroshi Shibata, Nobuhiko Ozaki, Takuma Yasuda, Shunsuke Ohkouchi, Naoki Ikeda, Hirotaka Ohsato, Eiichiro Watanabe, Yoshimasa Sugimoto, Kenji Furuki, Kunio Miyaji, Richard A. Hogg. Imaging of spectral-domain optical coherence tomography using a superluminescent diode based on InAs quantum dots emitting broadband spectrum with Gaussian-like shape. Japanese Journal of Applied Physics. 54 [4S] (2015) 04DG07 10.7567/jjap.54.04dg07
  3. Jiangwei Liu, Meiyong Liao, Masataka Imura, Hirotaka Oosato, Eiichiro Watanabe, Yasuo Koide. Electrical properties of atomic layer deposited HfO2/Al2O3 multilayer on diamond. Diamond and Related Materials. 54 (2015) 55-58 10.1016/j.diamond.2014.10.004
2014
  1. J. W. Liu, M. Y. Liao, M. Imura, E. Watanabe, H. Oosato, Y. Koide. Diamond logic inverter with enhancement-mode metal-insulator-semiconductor field effect transistor. Applied Physics Letters. 105 [8] (2014) 082110 10.1063/1.4894291
  2. J-W Liu, M-Y Liao, M Imura, E Watanabe, H Oosato, Y Koide. Diamond field effect transistors with a high-dielectric constant Ta2O5as gate material. Journal of Physics D: Applied Physics. 47 [24] (2014) 245102 10.1088/0022-3727/47/24/245102
  3. Nobuhiko Ozaki, Takuma Yasuda, Shunsuke Ohkouchi, Eiichiro Watanabe, Naoki Ikeda, Yoshimasa Sugimoto, Richard A. Hogg. Near-infrared superluminescent diode using stacked self-assembled InAs quantum dots with controlled emission wavelengths. Japanese Journal of Applied Physics. 53 [4S] (2014) 04EG10 10.7567/jjap.53.04eg10
  4. Satoshi Moriyama, Yoshifumi Morita, Eiichiro Watanabe, Daiju Tsuya. Field-induced confined states in graphene. Applied Physics Letters. 104 [5] (2014) 053108 10.1063/1.4864074
  5. Nobuhiko Ozaki, Koichi Takeuchi, Yuji Hino, Yohei Nakatani, Takuma Yasuda, Shunsuke Ohkouchi, Eiichiro Watanabe, Hirotaka Ohsato, Naoki Ikeda, Yoshimasa Sugimoto, Edmund Clarke, Richard A. Hogg. Integration of Emission-Wavelength-Controlled InAs Quantum Dots for Ultra-Broadband Near-Infrared Light Source. Nanomaterials and Nanotechnology. 4 (2014) 26 10.5772/59315
2012
  1. Y. Ishiwata, S. Suehiro, T. Kida, H. Ishii, Y. Tezuka, H. Oosato, E. Watanabe, D. Tsuya, Y. Inagaki, T. Kawae, M. Nantoh, K. Ishibashi. Spontaneous uniaxial strain and disappearance of the metal-insulator transition in monodisperse V2O3nanocrystals. Physical Review B. 86 [3] (2012) 10.1103/physrevb.86.035449
  2. Eiichiro Watanabe, Arolyn Conwill, Daiju Tsuya, Yasuo Koide. Low contact resistance metals for graphene based devices. Diamond and Related Materials. 24 (2012) 171-174 10.1016/j.diamond.2012.01.019
  3. Masataka Imura, Ryoma Hayakawa, Hirotaka Ohsato, Eiichiro Watanabe, Daiju Tsuya, Takahiro Nagata, Meiyong Liao, Yasuo Koide, Jun-ichi Yamamoto, Kazuhito Ban, Motoaki Iwaya, Hiroshi Amano. Development of AlN/diamond heterojunction field effect transistors. Diamond and Related Materials. 24 (2012) 206-209 10.1016/j.diamond.2012.01.020
  4. Yoichi Ishiwata, Tatsuya Shiraishi, Naoki Ito, Satoshi Suehiro, Tetsuya Kida, Hirofumi Ishii, Yasuhisa Tezuka, Yuji Inagaki, Tatsuya Kawae, Hirotaka Oosato, Eiichiro Watanabe, Daiju Tsuya, Masashi Nantoh, Koji Ishibashi. Metal-insulator transition sustained by Cr-doping in V2O3 nanocrystals. Applied Physics Letters. 100 [4] (2012) 043103 10.1063/1.3679396
2011
  1. Hikari Tomori, Akinobu Kanda, Hidenori Goto, Youiti Ootuka, Kazuhito Tsukagoshi, Satoshi Moriyama, Eiichiro Watanabe, Daiju Tsuya. Introducing Nonuniform Strain to Graphene Using Dielectric Nanopillars. Applied Physics Express. 4 [7] (2011) 075102 10.1143/apex.4.075102
  2. Xi Yang, Mingsheng Xu, Weiming Qiu, Xiaoqiang Chen, Meng Deng, Jinglin Zhang, Hideo Iwai, Eiichiro Watanabe, Hongzheng Chen. Graphene uniformly decorated with gold nanodots: in situ synthesis, enhanced dispersibility and applications. Journal of Materials Chemistry. 21 [22] (2011) 8096 10.1039/c1jm10697j
  3. Masataka Imura, Ryoma Hayakawa, Eiichiro Watanabe, Meiyong Liao, Yasuo Koide, Hiroshi Amano. Demonstration of diamond field effect transistors by AlN/diamond heterostructure. physica status solidi (RRL) - Rapid Research Letters. 5 [3] (2011) 125-127 10.1002/pssr.201105024
  4. Mingsheng Xu, Daisuke Fujita, Keisuke Sagisaka, Eiichiro Watanabe, Nobutaka Hanagata. Production of Extended Single-Layer Graphene. ACS Nano. 5 [2] (2011) 1522-1528 10.1021/nn103428k
  5. S. Kim, R. Ishiguro, M. Kamio, Y. Doda, E. Watanabe, D. Tsuya, K. Shibata, K. Hirakawa, H. Takayanagi. π junction transition in InAs self-assembled quantum dot coupled with SQUID. Applied Physics Letters. 98 [6] (2011) 063106 10.1063/1.3552715
2009
  1. Satoshi Moriyama, Daiju Tsuya, Eiichiro Watanabe, Shinya Uji, Maki Shimizu, Takahiro Mori, Tomohiro Yamaguchi, Koji Ishibashi. Coupled Quantum Dots in a Graphene-Based Two-Dimensional Semimetal. Nano Letters. 9 [8] (2009) 2891-2896 10.1021/nl9011535

書籍 TSV

会議録 TSV

2012
  1. Eiichiro Watanabe, Arolyn Conwill, Daiju Tsuya, Yasuo Koide. Low contact resistance metals for graphene based devices. DIAMOND AND RELATED MATERIALS. 2012, 171-174
  2. Masataka Imura, Ryoma Hayakawa, Hirotaka Ohsato, Eiichiro Watanabe, Daiju Tsuya, Takahiro Nagata, Meiyong Liao, Yasuo Koide, Jun-ichi Yamamoto, Kazuhito Ban, Motoaki Iwaya, Hiroshi Amano. Development of AlN/diamond heterojunction field effect transistors. DIAMOND AND RELATED MATERIALS. 2012, 206-209
2011
  1. S. Kim, R. Ishiguro, M. Kamio, Y. Doda, E. Watanabe, D. Tsuya, K. Shibata, K. Hirakawa, H. Takayanagi, Jisoon Ihm, Hyeonsik Cheong. Side-gate controlled electrical properties of superconducting quantum interference device coupled with self-assembled InAs quantum dot. AIP CONFERENCE PROCEEDINGS. 2011

口頭発表 TSV

2019
  1. MORIYAMA, Satoshi, 守田佳史, 小松 克伊, 遠藤 滉亮, IWASAKI, Takuya, NAKAHARAI, Shu, 野口裕, WAKAYAMA, Yutaka, WATANABE, Eiichiro, TSUYA, Daiju, WATANABE, Kenji, TANIGUCHI, Takashi. Superconductivity in Bilayer Graphene/hBN Superlattices I –Main Results–. RPGR2019, The 11th annual Recent Progress in Graphene & Two-dimensional Materials Research Conference. 2019
  2. 守田佳史, MORIYAMA, Satoshi, 小松 克伊, 遠藤 滉亮, IWASAKI, Takuya, NAKAHARAI, Shu, 野口裕, WAKAYAMA, Yutaka, WATANABE, Eiichiro, TSUYA, Daiju, WATANABE, Kenji, TANIGUCHI, Takashi. Superconductivity in Bilayer Graphene/hBN Superlattices II – More on Experiments and Possible Scenarios –. RPGR2019, The 11th annual Recent Progress in Graphene & Two-dimensional Materials Research Conference. 2019
  3. 森山悟士, 守田佳史, 小松 克伊, 遠藤 滉亮, 岩崎 拓哉, 中払 周, 野口裕, 若山裕, 渡辺 英一郎, 津谷 大樹, 渡邊 賢司, 谷口 尚. 六方晶窒化ホウ素/2層グラフェン超格子素子における超伝導. 2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会. 2019
  4. IWASAKI, Takuya, 小松 克伊, 遠藤 滉亮, WATANABE, Eiichiro, TSUYA, Daiju, WATANABE, Kenji, TANIGUCHI, Takashi, 野口 裕, WAKAYAMA, Yutaka, 守田 佳史, MORIYAMA, Satoshi. Valley Hall Effect in Graphene / Hexagonal Boron Nitride Heterostructures. MANAシンポジウム. 2019
  5. 遠藤 滉亮, 小松 克伊, IWASAKI, Takuya, WATANABE, Eiichiro, TSUYA, Daiju, WATANABE, Kenji, TANIGUCHI, Takashi, 野口裕, WAKAYAMA, Yutaka, 守田 佳史, MORIYAMA, Satoshi. Valley Hall effect in bilayer graphene /hexagonal boron nitride superlattice devices. MANA International Symposium 2019. 2019
2018
  1. 遠藤 滉亮, 小松 克伊, 岩崎 拓哉, 渡辺 英一郎, 津谷 大樹, 渡邊 賢司, 谷口 尚, 野口裕, 若山 裕, 守田佳史, 森山 悟士. 二層グラフェン/六方晶窒化ホウ素超格子デバイスにおけるバレーホール効果の観測. 第79回応用物理学会秋季学術講演会. 2018
  2. MORIYAMA, Satoshi, KOMATSU, Katsuyoshi, YOSHIFUMI MORITA, WATANABE, Eiichiro, TSUYA, Daiju, WATANABE, Kenji, TANIGUCHI, Takashi. Topological Transport in Graphene Superlattices. MANA International Symposium 2018. 2018
2015
  1. KOMATSU, Katsuyoshi, WATANABE, Eiichiro, TSUYA, Daiju, WATANABE, Kenji, TANIGUCHI, Takashi, MORIYAMA, Satoshi. Quantum transport in hBN/graphene/hBN heterostructures with one-dimensional edge contacts. ISANN2015. 2015
  2. 森 貴洋, 二之宮成樹, 内田紀行, 久保利隆, 渡辺 英一郎, 津谷 大樹, 森山 悟士, 田中正俊, 安藤 淳. 遷移金属ダイカルコゲナイドの極薄ボディMOSFET応用. 2015年第76回応用物理学会秋季学術講演会. 2015
  3. Takahiro Mori, Naruki Ninomiya, Noriyuki Uchida, Toshitaka Kubo, WATANABE, Eiichiro, TSUYA, Daiju, MORIYAMA, Satoshi, Masatoshi Tanaka, Atsushi Ando. Characterization of effective mobility by split C-V technique in MoS2FETs with high-k/metal gate. IEEE NANO 2015. 2015
  4. 森 貴洋, 二之宮成樹, 内田紀行, 久保利隆, 渡辺 英一郎, 津谷 大樹, 森山 悟士, 田中正俊, 安藤 淳. High-k/MetalゲートMoS2MOSFETの試作と評価. 電子情報通信学会 シリコン材料・デバイス研究会. 2015
  5. 小松 克伊, 渡辺 英一郎, 津谷 大樹, 森山 悟士. 酸化イットリウム/グラファイト基板上のグラフェンの輸送特性. 日本物理学会第70会年次大会. 2015
  6. 二之宮成樹, 森 貴洋, 内田紀行, 久保利隆, 渡辺 英一郎, 津谷 大樹, 森山 悟士, 田中正俊, 安藤 淳. HfO2絶縁膜を用いたMoS2FETにおける実効移動度の評価. 2015年第62回応用物理学会春期学術講演会. 2015
  7. 吉武 道子, 柳生 進二郎, 知京 豊裕, 渡辺 英一郎. 二次元超薄膜への可逆的非破壊電気コンタクト. 第62回応用物理学会春季学術講演会. 2015
2014
  1. MORIYAMA, Satoshi, MORITA Yoshifumi, WATANABE, Eiichiro, TSUYA, Daiju. Field-induced Confinement and Quantum Transport in Graphene. PacSurf2014. 2014
  2. 吉武 道子, 柳生 進二郎, 知京 豊裕, 渡辺 英一郎. 二次元超薄膜への可逆的非破壊・接触面積制御電気コンタクト. 第34回表面科学学術講演会. 2014
  3. Naruki Ninomiya, Takahiro Mori, Noriyuki Uchida, WATANABE, Eiichiro, TSUYA, Daiju, MORIYAMA, Satoshi, Masatoshi Tanaka, Atsushi Ando. Investigation of electrical characteristics on top-gate MoS2 MOSFETs with high-k Al2O3 dielectric. 27th International Microprocesses and Nanotechnology Conference. 2014
  4. 二之宮成樹, 森 貴洋, 内田紀行, 渡辺 英一郎, 津谷 大樹, 森山 悟士, 田中正俊, 安藤 淳. Al2O3絶縁膜を用いたトップゲート型MoS2FETの試作. 2014年第75回応用物理学会秋季学術講演会. 2014
  5. Naruki Ninomiya, Takahiro Mori, Noriyuki Uchida, WATANABE, Eiichiro, TSUYA, Daiju, MORIYAMA, Satoshi, Masatoshi Tanaka, Atsushi Ando. Thickness identification of MoS2 thinned by Ar etching. 2014 Tsukuba Nanotechnology Symposium (TNS’14). 2014
  6. LIU, Jiangwei, LIAO, Meiyong, IMURA, Masataka, OOSATO, Hirotaka, WATANABE, Eiichiro, KOIDE, Yasuo. Electrical properties of atomic layer deposited HfO2/Al2O3 multilayer on diamond. New Diamond and Nano Carbons Conference (NDNC 2014). 2014
  7. KOIDE, Yasuo, LIU, Jiangwei, LIAO, Meiyong, IMURA, Masataka, OOSATO, Hirotaka, WATANABE, Eiichiro. Frequency dispersion properties at Al2O3 and HfO2/H-terminated diamond interfaces. New Diamond and Nano Carbons Conference (NDNC 2014). 2014
  8. 二之宮成樹, 森貴洋, 内田紀行, 渡辺 英一郎, 津谷 大樹, 森山 悟士, 宮田典幸, 安田哲二, 田中正俊, 安藤淳. 原子層状MoS2のエッチング:光学コントラストによる層数評価. 2014年第61回応用物理学会春季学術講演会. 2014
  9. 小出 康夫, 劉 江偉, 廖 梅勇, 井村 将隆, 大里 啓孝, 渡辺 英一郎, 津谷 大樹. Al2O3およびHfO2/水素終端ダイヤモンド界面の周波数分散特性. 第61回応用物理学会春季学術講演会. 2014
2013
  1. MORIYAMA, Satoshi, YOSHIFUMI MORITA, WATANABE, Eiichiro, TSUYA, Daiju. Electron transport through field-induced quantum dots in graphene. Trends in Nanotechnology International Conference 2013. 2013
  2. IMURA, Masataka, OOSATO, Hirotaka, WATANABE, Eiichiro, TSUYA, Daiju, LIU, Jiangwei, LIAO, Meiyong, KOIDE, Yasuo. Diamond field effect transistors using Al2O3 insulator / surface p-channel diamond prepared by thermal treatment with hydrogen a. International Conference on Diamond and Carbon Materials 2013. 2013
  3. MORI Takahiro, KANEMURA Rui, WATANABE, Eiichiro, TSUYA, Daiju, MORIYAMA, Satoshi, MAEDA Tatsuro, UCHIDA Noriyuki, MIYATA Noriyuki, YASUDA Tetsuji, TANAKA Masatoshi, ANDO Atsushi. Fabrication processes of two-dimensional MoS2 channel transistors. NIMS Conference 2013. 2013
  4. 兼村瑠威, 森貴洋, 渡辺 英一郎, 津谷 大樹, 森山 悟士, 前田辰郎, 内田紀行, 宮田典幸, 安田哲二, 田中正俊, 安藤淳. 2次元層状MoS2トランジスタ形成プロセスの検討. 2013年第60回応用物理学会春季学術講演会. 2013
  5. 山口 尚秀, 渡邊 徹, 出口 啓太, 渡辺 英一郎, 大里 啓孝, 津谷 大樹, 竹屋 浩幸, 高野 義彦, 栗原 慎一郎, 川原田 洋. イオン液体を用いたダイヤモンド表面伝導の電界制御II. 第68回年次大会 日本物理学会. 2013
  6. MORIYAMA, Satoshi, YOSHIFUMIMORITA, WATANABE, Eiichiro, TSUYA, Daiju. Field-induced quantum dots in graphene mesoscopic structures. MANA International Symposium 2013. 2013
2012
  1. 井村 将隆, 早川 竜馬, 大里 啓孝, 渡辺 英一郎, 津谷 大樹, 廖 梅勇, 小出 康夫, 天野浩, 松本翼, 山崎聡. 原子層堆積法により成膜したアルミナゲート 表面チャネルダイヤモンドFETの特性評価 . 第26回ダイヤモンドフォーラム. 2012
  2. IMURA, Masataka, HAYAKAWA, Ryoma, OOSATO, Hirotaka, WATANABE, Eiichiro, TSUYA, Daiju, LIAO, Meiyong, KOIDE, Yasuo, AMANO Hiroshi, Matsumoto Tsubasa , Yamasaki Satoshi. Al2O3/Diamond Field Effect Transistors using Surface p-Channel Prepared by Thermal Treatment with Hydrogen and Ammonia Atmosphere. IUMRS-International Conference on Electronic Material 2012. 2012
  3. MORIYAMA, Satoshi, YOSHIFUMIMORITA, WATANABE, Eiichiro, TSUYA, Daiju. Transport spectroscopy of Field-induced quantum confinement in graphene. SSDM2012. 2012
  4. 山口 尚秀, 渡邊 徹, 出口 啓太, 渡辺 英一郎, 大里 啓孝, 津谷 大樹, 竹屋 浩幸, 高野 義彦. イオン液体を用いたダイヤモンド表面伝導の電界制御. 2012秋季大会. 2012
  5. 竹端 寛治, 今中 康貴, 三井 正, 高増 正, 渡辺 英一郎, 大里 啓孝, 津谷 大樹, Y. Kim, K.-S. An, B. H. Hong. CVDグラフェンにおける近藤効果の検証. 日本物理学会2012年秋季大会. 2012
  6. 森山 悟士, 守田佳史, 渡辺 英一郎, 津谷 大樹. グラフェンメゾスコピック構造における磁場を用いた単一ディラック電子制御. 2012年秋季第73回応用物理学会学術講演会. 2012
  7. 森山 悟士, 守田佳史, 渡辺 英一郎, 津谷 大樹. ラフェンメゾスコピック構造に形成される磁場誘起量子ドット素子. 第2回半導体量子効果と量子情報の夏季研修会. 2012
  8. IMURA, Masataka, HAYAKAWA, Ryoma, OOSATO, Hirotaka, WATANABE, Eiichiro, TSUYA, Daiju, LIAO, Meiyong, KOIDE, Yasuo, AMANO Hiroshi. Electrical Transport Mechanism of Field Effect Transistors by AlN/Diamond Heterostructure . International Conference on Diamond and Carbon Materials . 2012
  9. 井村 将隆, 早川 竜馬, 大里 啓孝, 渡辺 英一郎, 津谷 大樹, 廖 梅勇, 小出 康夫, 天野浩, 松本翼, 山崎聡. pチャネルAlN/Diamondヘテロ接合電界効果トランジスタ. 第31回電子材料シンポジウム. 2012
  10. MORIYAMA, Satoshi, YOSHIFUMIMORITA, WATANABE, Eiichiro, TSUYA, Daiju. Graphene nanostructures for building blocks of quantum-dot based nanodevices. CIMTEC2012. 2012
  11. 森山 悟士, 守田佳史, 渡辺 英一郎, 津谷 大樹. グラフェンナノ構造における磁場誘起量子閉じ込めと電子輸送特性. 日本物理学会第67回年次大会. 2012
  12. IMURA, Masataka, HAYAKAWA, Ryoma, OOSATO, Hirotaka, WATANABE, Eiichiro, TSUYA, Daiju, LIAO, Meiyong, KOIDE, Yasuo, Hiroshi Amano. Field Effect Transistors by AlN/Diamond Heterostructure - past & future -. Hasselt Diamond Workshop 2012 SBDD XVII. 2012
  13. MORIYAMA, Satoshi, MORITAYOSHIFUMI, WATANABE, Eiichiro, TSUYA, Daiju. Field-induced single-electron transport in graphene nanostructures. MANA International Symposium 2012. 2012
2011
  1. 井村 将隆, 早川 竜馬, 大里 啓孝, 渡辺 英一郎, 津谷 大樹, 廖 梅勇, 小出 康夫, 天野浩. AlN/Diamondヘテロ接合型ダイヤモンド電界効果トランジスタの開発. 第25回ダイヤモンドシンポジウム. 2011
  2. H.Tomori,, H.Goto, Y.Nukui, Y.Toyota, TSUKAGOSHI, Kazuhito, Y.Ootuka, MORIYAMA, Satoshi, WATANABE, Eiichiro, TSUYA, Daiju, A.Kanda. Inducing Nonuniform Strain in Graphene Using Dielectric Nanopillars: Toward Strain Engineering. Material reseach society 2011 Fall meeting (MRS 2011). 2011
  3. 井村 将隆, 早川 竜馬, 大里 啓孝, 渡辺 英一郎, 津谷 大樹, 廖 梅勇, 小出 康夫, 天野浩. AlN/Diamondヘテロ接合型電界効果トランジスタの開発. 2011年日本金属学会秋期大会. 2011
  4. TSUMURA, Kohei, Ohsugi Masaki, HAYASHI Tomomi, WATANABE, Eiichiro, TSUYA, Daiju, NOMURA Shintaro, TAKAYANAGI, Hideaki. Fabrication and Transport Measurement of Graphene-based Superconducting Interference Device. International Workshop on Quantum Nanostructures and Nanoelectro. 2011
  5. H.Tomori, H.Goto, Y.Nukui, Y.Toyota, Y.Ootuka, MORIYAMA, Satoshi, TSUKAGOSHI, Kazuhito, WATANABE, Eiichiro, TSUYA, Daiju, A.Kanda. Introducing Nonuniform Strain to Graphene: Toward Strain Engineering. 2011 International Conference on Solid State Devices and Materia. 2011
  6. H. Tomori, H. Goto, Y. Toyota, Y. Ootuk, 塚越 一仁, 森山 悟士, 渡辺 英一郎, 津谷 大樹, A. Kanda. 非一様歪みのあるグラフェンの形成と電気伝導測定. 日本物理学会 2011年秋季大. 2011
  7. Yoichi Ishiwata, Tatsuya Shiraishi, Satoshi Suehiro, Tetsuya Kida, Hirofumi Ishii, Yasuhisa Tezuka, 渡辺 英一郎, 津谷 大樹, Yuji Inagaki, Tatsuya Kawae. CrドープV2O3ナノ粒子の金属絶縁体転移. 2011年秋季物理学会. 2011
  8. 津村 公平, 大杉正樹, 林朋美, 渡辺 英一郎, 津谷 大樹, 野村晋太郎, 高柳 英明. グラフェンを用いた超伝導量子干渉計の作製と輸送測定. 日本物理学会2011年秋季大会. 2011
  9. 金 鮮美, 神尾充弥, 井上 亮太郎, 矢吹紘久, 野田 武司, 定 昌史, 渡辺 英一郎, 津谷 大樹, 高柳 英明. 自己形成InAs量子リングにおける量子干渉. 2011年秋季物理学会. 2011
  10. Megumi Yakabe, Ryosuke Ishiguro, Moritomo Nakamura, 大里 啓孝, 渡辺 英一郎, 津谷 大樹, 高柳 英明, Setsuki Maeno. Nb/Ru/Sr2RuO4超伝導接合を用いたマイクロSQUIDの温度特性. 2011年秋季物理学会. 2011
  11. IMURA, Masataka, HAYAKAWA, Ryoma, OOSATO, Hirotaka, WATANABE, Eiichiro, TSUYA, Daiju, LIAO, Meiyong, KOIDE, Yasuo, AMANO Hiroshi. Development of Diamond Field Effect Transistors by AlN / Diamond Heterostructure. 22nd European Conference on Diamond, Diamond-like Materials, Car. 2011
  12. 神尾 充弥, 金 鮮美, 井上 亮太郎, 矢吹 紘久, 定 昌史, 野田 武司, 渡辺 英一郎, 津谷 大樹, 高柳 英明. 自己形成InAs量子リング素子における微分コンダクタンスの磁場依存性. 第72回応用物理学会学術講演会. 2011
  13. H. Tomori, H. Goto, Y. Toyota, Y. Ootuk, 塚越 一仁, 森山 悟士, 渡辺 英一郎, 津谷 大樹, A. Kanda. バンドギャップ形成を目指したグラフェンへの非一様歪みの導入方法の開発. 2011年秋季第72回応用物理学会学術講演会. 2011
  14. 石黒 亮輔, 矢ヶ部 恵弥, 中村 壮智, 渡辺 英一郎, 大里 啓孝, 津谷 大樹, 高柳 英明, 前野 悦輝. Ru-Sr2RuO4共晶と Nb 用いた立体型 nanoSQUID の開発. 第72回応用物理学会学術講演会. 2011
  15. 井村 将隆, 早川 竜馬, 大里 啓孝, 渡辺 英一郎, 津谷 大樹, 廖 梅勇, 小出 康夫, 天野浩. AlN/Diamondヘテロ接合型ダイヤモンド電界効果トランジスタ. 第72回応用応用物理学会学術講演会. 2011
  16. 大杉正樹, 津村 公平, 林朋美, 渡辺 英一郎, 津谷 大樹, 野村晋太郎, 高柳 英明. グラフェンを用いた超伝導量子干渉計. 2011年(平成23年)秋季第72回応用物理学会学術講演会. 2011
  17. 森山 悟士, 渡辺 英一郎, 津谷 大樹, 守田佳史. グラフェンナノ構造素子の単一電子スペクトロスコピー. 平成23年度第10回飯綱・サイエンスサマー道場材料の世界を一変させる. 2011
  18. 渡辺 英一郎, 津谷 大樹, 小出 康夫. グラフェン素子のコンタクト抵抗評価. 平成23年度飯綱・サイエンスサマー道場. 2011
  19. 金 鮮美, 神尾充弥 , 矢吹紘久, 石黒 亮輔, 井上 亮太郎, 津村 公平, 渡辺 英一郎, 津谷 大樹, 高柳 英明. 量子ドット&リングにおける量子情報インターフェイスへ向けた研究. 量子情報処理プロジェクト 夏期研修会2011. 2011
  20. 金 鮮美, 石黒 亮輔, 神尾充弥, 渡辺 英一郎, 津谷 大樹, 柴田憲治, 平川一彦, 高柳 英明. SQUID と結合した自己形成InAs 量子ドット. 2011年春季 第58回 応用物理学関係連合講演会. 2011
  21. 井村 将隆, 早川 竜馬, 大里 啓孝, 渡辺 英一郎, 廖 梅勇, 天野 浩, 小出 康夫. AlN/ダイヤモンドヘテロ構造トランジスタ. 2011年春季 第58回 応用物理学関係連合講演会. 2011
  22. TSUMURA, Kohei, OHSUGI Masaki, HAYASHI Tomomi, WATANABE, Eiichiro, TSUYA, Daiju, NOMURA Shintaro, TAKAYANAGI, Hideaki. Development of graphene-based superconducting interference device. MANA Symposium 2011. 2011
  23. 徐明生, FUJITA, Daisuke, SAGISAKA, Keisuke, WATANABE, Eiichiro, HANAGATA, Nobutaka. Production of extended single-layer graphene. MANA International Symposium 2011. 2011
  24. IMURA, Masataka, HAYAKAWA, Ryoma, OOSATO, Hirotaka, WATANABE, Eiichiro, TSUYA, Daiju, LIAO, Meiyong, Hiroshi Amano, KOIDE, Yasuo. Demonstration of AlN/Diamond Heterostructure Field Effect Transistors. MANA International Symposium 2011 . 2011
  25. MORIYAMA, Satoshi, TSUYA, Daiju, WATANABE, Eiichiro, UJI, Shinya, MAKISHIMIZU, KOJIISHIBASHI. Quantum Dots and Nanostructures in Graphene. ISNTT2011. 2011
  26. WATANABE, Eiichiro, TSUYA, Daiju, KOIDE, Yasuo. Contact Resistance in Graphene-Based Devices. Frontiers in Nanoscale Science and Technology Workshop 2011. 2011
2010
  1. 金 鮮美, 石黒 亮輔, 堂田 泰史, 渡辺 英一郎, 津谷 大樹, 柴田憲治, 平川一彦, 高柳 英明. 自己形成量子ドットと結合した超伝導量子干渉デバイスでのπ接合特性. PASPS-15. 2010
  2. 白石達也, 末廣智, 木田徹也, 石井啓文, 手塚泰久, 渡辺 英一郎, 津谷 大樹, 河江達也, 石渡洋一. CrドープしたV2O3ナノ粒子における金属絶縁体転移. 平成22年度応用物理学会九州支部学術講演会. 2010
  3. 渡辺 英一郎, 津谷 大樹, 小出 康夫. 種々酸化膜/シリコン基板上に作製したグラフェンの電気伝導特性. 第24回ダイヤモンドシンポジウム. 2010
  4. 渡辺 英一郎, 津谷 大樹, 小出 康夫. 伝送線路(TLM)法による多端子グラフェンデバイスのコンタクト抵抗評価. 第24回ダイヤモンドシンポジウム. 2010
  5. 伊藤直樹, 木田徹也, 渡辺 英一郎, 津谷 大樹, 手塚泰久, 石渡洋一. Fe3-δO4 ナノ粒子のポストアニール効果. 2010年秋季 第71回 応用物理学関係連合講演会. 2010
  6. 森山 悟士, 津谷 大樹, 渡辺 英一郎, 宇治 進也. グラフェンナノ構造の単一電子輸送特性. 日本物理学会 第65回年次大会. 2010
  7. 金 鮮美, 石黒 亮輔, 堂田 泰史, 渡辺 英一郎, 津谷 大樹, 柴田憲治, 平川一彦, 高柳 英明. 自己形成InAs量子ドットと結合したSQUIDのゲート制御. 2010年春季 第57回 応用物理学関係連合講演会. 2010
  8. 堂田 泰史, 南雲 淑元, 井上 亮太郎, 渡辺 英一郎, 津谷 大樹, 高柳 英明. グラファイトSQUIDの超伝導特性. 2010年春季 第57回 応用物理学関係連合講演会. 2010
  9. DODA, Yasushi, Hideyuki Nagumo, Ryotaro Inoue, WATANABE, Eiichiro, TSUYA, Daiju, TAKAYANAGI, Hideaki. Development of DC-SQUID with Graphite / superconducting junctions. QNSP2010. 2010
  10. KIM, Sunmi, ISHIGURO, Ryousuke, DODA, Yasushi, WATANABE, Eiichiro, TSUYA, Daiju, SHIBATA Kenji, HIRAKAWA Kazuhiko, TAKAYANAGI, Hideaki. Investigation of SQUID coupled with Self-assembled InAs Quantum Dot. QNSP. 2010
  11. KIM, Sunmi, ISHIGURO, Ryousuke, DODA, Yasushi, WATANABE, Eiichiro, TSUYA, Daiju, SHIBATA Kenji, HIRAKAWA Kazuhiko, TAKAYANAGI, Hideaki. Gate control of SQUID coupled with self-assembled InAs Quantum Dot. MANA International Symposium 2010. 2010
2009
  1. 徐明生, FUJITA, Daisuke, GAOJian-Hua, WATANABE, Eiichiro, HANAGATA, Nobutaka. Large-scale, uniform and transferrable graphene films synthesized by chemical vapor deposition. 2009 International Microprocesses and Nanotechnology Conference. 2009
  2. 森山 悟士, 津谷 大樹, 渡辺 英一郎, 宇治 進也, 清水麻希, 森貴洋, 山口智弘, 石橋幸治. グラフェン結合量子ドットにおけるクーロンブロッケイド効果の観測. 日本物理学会2009年秋季大会. 2009
  3. 森山 悟士, 津谷 大樹, 渡辺 英一郎, 宇治 進也, 清水麻希, 森貴洋, 山口智弘, 石橋幸治. グラフェン2重結合量子ドットの作製と単一電子輸送特性の観測. 2009年秋季第70回応用物理学会学術講演会. 2009
  4. FUNABA, Koji, WATANABE, Eiichiro, NEJO, Hitoshi, N.S.Venkataramanan. DISCRIMINATION OF INDIVIDUAL MOLECULES FROM OTHER MOLECULES ONE BY ONE BY RESTRICTING THE LIGHT EMITTING SPACE. Russian-Japanese workshop. 2009
  5. MORIYAMA, Satoshi, TSUYA, Daiju, WATANABE, Eiichiro, UJI, Shinya, MAKI SHIMIZU, TAKAHIRO MORI, TOMOHIRO YAMAGUCHI, KOJI ISHIBASHI. A graphene-based double quantum dot device. FNST2009, Frontiers in Nanoscale Science and Technology Workshop. 2009
  6. 船場 康司, 渡辺 英一郎, 根城 均, N.S.Venkataramanan. メゾスコピックホールにより制御されたポルフィリン分子の光物性. ナノ学会 第7回大会. 2009
  7. 森山 悟士, 津谷 大樹, 渡辺 英一郎, 森貴洋, 山口智弘, 石橋幸治, 宇治 進也. グラフェン量子ドットの単一電子輸送特性. 日本物理学会2009年第64回年次大会. 2009
  8. MORIYAMA, Satoshi, TSUYA, Daiju, WATANABE, Eiichiro, UJI, Shinya. A graphene-based double quantum-dot system. MANA International Symposium 2009. 2009
2008
  1. 森山 悟士, 津谷 大樹, 渡辺 英一郎. ナノ微細加工を用いたグラフェン単電子デバイスの開発. つくば4機関連携ワークショップ「イノベーションつくば2008」. 2008
  2. MORIYAMA, Satoshi, YOSHIFUMIMORITA, WATANABE, Eiichiro, TSUYA, Daiju, UJI, Shinya. Raman spectroscopy and phonon dispersions in graphene and graphene layers. 34th International Conference on Micro and Nano Engineering2008. 2008

特許 TSV

登録特許
  1. 特許第5697069号 グラフェントランジスタ (2015)
  2. 特許第5429848号 有機電界効果トランジスタ (2013)
公開特許出願
    外国特許

      ▲ページトップへ移動