HOME > 口頭発表 > 書誌詳細AlN/Diamondヘテロ接合型ダイヤモンド電界効果トランジスタ ーこれまでとこれからー(Field Effect Transistors by AlN/Diamond Heterostructure - past & future -)井村 将隆, 早川 竜馬, 大里 啓孝, 渡辺 英一郎, 津谷 大樹, 廖 梅勇, 小出 康夫, 天野浩. Hasselt Diamond Workshop 2012 SBDD XVII. 2012年03月14日-2012年03月16日. 招待講演NIMS著者井村 将隆早川 竜馬大里 啓孝渡辺 英一郎津谷 大樹廖 梅勇小出 康夫Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2017-02-14 11:37:58 +0900更新時刻: 2024-03-05 11:43:56 +0900