HOME > Presentation > DetailAlN/Diamondヘテロ接合型ダイヤモンド電界効果トランジスタ ーこれまでとこれからー(Field Effect Transistors by AlN/Diamond Heterostructure - past & future -)井村 将隆, 早川 竜馬, 大里 啓孝, 渡辺 英一郎, 津谷 大樹, 廖 梅勇, 小出 康夫, 天野浩. Hasselt Diamond Workshop 2012 SBDD XVII. March 14, 2012-March 16, 2012. InvitedNIMS author(s)IMURA, MasatakaHAYAKAWA, RyomaOOSATO, HirotakaWATANABE, EiichiroTSUYA, DaijuLIAO, MeiyongKOIDE, YasuoFulltext and dataset(s) on Materials Data Repository (MDR)Created at: 2017-02-14 11:37:58 +0900Updated at: 2024-03-05 11:43:56 +0900