HOME > 口頭発表 > 書誌詳細AlN/ダイヤモンドヘテロ構造電界効果トランジスタの電気輸送メカニズム(Electrical Transport Mechanism of Field Effect Transistors by AlN/Diamond Heterostructure )井村 将隆, 早川 竜馬, 大里 啓孝, 渡辺 英一郎, 津谷 大樹, 廖 梅勇, 小出 康夫, 天野浩. International Conference on Diamond and Carbon Materials . 2012年09月03日-2012年09月06日.NIMS著者井村 将隆早川 竜馬大里 啓孝渡辺 英一郎津谷 大樹廖 梅勇小出 康夫Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2017-02-14 11:36:21 +0900更新時刻: 2017-07-10 21:23:42 +0900