HOME > 口頭発表 > 書誌詳細High-k/MetalゲートMoS2MOSFETの試作と評価(Fabrication and Characterization of MoS2 MOSFET with High-k/Metal Gate)森 貴洋, 二之宮成樹, 内田紀行, 久保利隆, 渡辺 英一郎, 津谷 大樹, 森山 悟士, 田中正俊, 安藤 淳. 電子情報通信学会 シリコン材料・デバイス研究会. 2015. 招待講演NIMS著者渡辺 英一郎津谷 大樹Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2017-02-14 11:37:14 +0900更新時刻: 2024-03-05 11:45:47 +0900