HOME > 口頭発表 > 書誌詳細二層グラフェン/六方晶窒化ホウ素超格子デバイスにおけるバレーホール効果の観測(Valley Hall effect in bilayer graphene/hexagonal boron nitride superlattice devices)遠藤 滉亮, 小松 克伊, 岩崎 拓哉, 渡辺 英一郎, 津谷 大樹, 渡邊 賢司, 谷口 尚, 野口裕, 若山 裕, 守田佳史, 森山 悟士. 第79回応用物理学会秋季学術講演会. 2018年09月18日-2018年09月21日.NIMS著者岩崎 拓哉渡辺 英一郎津谷 大樹渡邊 賢司谷口 尚若山 裕Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2018-08-23 16:11:34 +0900更新時刻: 2018-08-23 16:11:34 +0900