二次元物質界面に気泡がほとんど形成されない独自の転写技術を開発し、世界最高水準品質の界面を持つ二次元物質ヘテロ構造を作製することを可能とした。この転写法により、世界最高水準品質の二層グラフェン素子を実現した。この転写法は様々な物質、基板に対して有効であり、三次元物質や既存の半導体デバイスと二次元物質を組み合わせた新奇デバイス開発への応用展開が期待できる。
二次元物質素子作製のための微細加工プロセスを確立し、デュアルゲート型ホールバー、量子ポイントコンタクト、量子ドット等の様々なナノ構造素子を実現し、低温電子輸送特性を計測した。二層グラフェン／六方晶窒化ホウ素モアレ超格子素子におけるバンドギャップ制御実証、バレーホール効果観測、単一電子輸送観測等に成功した。この系は、他の材料では困難なバレー自由度を用いた革新的な新原理動作デバイス開発につながることが期待でき、将来のエレクトロニクスの基盤技術になり得る。