HOME > 口頭発表 > 書誌詳細Al2O3絶縁膜を用いたトップゲート型MoS2FETの試作(Fabrication of top-gated MoS2 FET with Al2O3 Insulator)二之宮成樹, 森 貴洋, 内田紀行, 渡辺 英一郎, 津谷 大樹, 森山 悟士, 田中正俊, 安藤 淳. 2014年第75回応用物理学会秋季学術講演会. 2014.NIMS著者渡辺 英一郎津谷 大樹Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2017-02-14 11:38:45 +0900更新時刻: 2017-07-10 21:55:45 +0900