HOME > 口頭発表 > 書誌詳細AlN/Diamondヘテロ接合型ダイヤモンド電界効果トランジスタの開発(Development of Diamond-Based Field Effect Transistors by AlN/Diamond Heterostructure)井村 将隆, 早川 竜馬, 大里 啓孝, 渡辺 英一郎, 津谷 大樹, 廖 梅勇, 小出 康夫, 天野浩. 第25回ダイヤモンドシンポジウム. 2011年12月07日-2011年12月09日.NIMS著者井村 将隆早川 竜馬大里 啓孝渡辺 英一郎津谷 大樹廖 梅勇小出 康夫Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2017-01-08 03:35:59 +0900更新時刻: 2017-07-10 21:13:53 +0900