HOME > Presentation > DetailAlN/Diamondヘテロ接合型ダイヤモンド電界効果トランジスタの開発(Development of Diamond-Based Field Effect Transistors by AlN/Diamond Heterostructure)井村 将隆, 早川 竜馬, 大里 啓孝, 渡辺 英一郎, 津谷 大樹, 廖 梅勇, 小出 康夫, 天野浩. 第25回ダイヤモンドシンポジウム. December 07, 2011-December 09, 2011.NIMS author(s)IMURA, MasatakaHAYAKAWA, RyomaOOSATO, HirotakaWATANABE, EiichiroTSUYA, DaijuLIAO, MeiyongFulltext and dataset(s) on Materials Data Repository (MDR)Created at: 2017-01-08 03:35:59 +0900 Updated at: 2017-07-10 21:13:53 +0900