Demonstration of Diamond Field Effect Transistors by AlN/Diamond Heterostructure | 研究者総覧SAMURAI - 物質・材料研究機構 (NIMS)

HOME > 論文 > 書誌詳細

Demonstration of Diamond Field Effect Transistors by AlN/Diamond Heterostructure
(AlN／ダイヤモンドヘテロ構造を用いたダイヤモンド電界効果トランジスタ)

Masataka Imura, Ryoma Hayakawa, Eiichiro Watanabe, Meiyong Liao, Yasuo Koide, Hiroshi Amano.

physica status solidi (RRL) - Rapid Research Letters 5 [3] 125-127. 2011.

https://doi.org/10.1002/pssr.201105024

NIMS著者

Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット

作成時刻: 2016-05-24 16:19:47 +0900更新時刻: 2024-04-01 18:56:37 +0900

▲ページトップへ移動