異種半導体を積層させた量子構造試料やトポロジカル表面を持つ量子材料などの物性を明らかにする上で、強磁場極低温下での各種物性測定は大きな威力を発揮する。特に当グループでは、紫外から可視、近赤外〜遠赤外、ミリ波までの広帯域の強磁場分光により、様々な物質・材料の強磁場光学研究が可能となっている。
図はGaNの二次元電子系の強磁場テラヘルツ分光によるサイクロトロン共鳴吸収の測定結果の結果であるが、こうした磁気光学的手法により電極を必要とせず、キャリア有効質量、キャリア濃度、キャリア移動度などのパラメーターを非接触に高精度に得ることが可能である。

強磁場発生技術の開発において、従来の発生磁場強度の増強やパルス磁場などでの発生時間の長時間化という点が重要であったが、当グループでは様々な波形の磁場を発生させることや繰返し発生に着目し、テスラ級の磁場発生装置の開発を進めている。
図は水冷型強磁場磁石であるビッターマグネットと数テスラまでの波形可変磁場発生が可能となる電源である。蓄電池や小型キャパシターとの組み合わせにより、移動可能な小型なシステムとなっている。