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著者名J. W. Liu, M. Y. Liao, M. Imura, H. Oosato, E. Watanabe, A. Tanaka, H. Iwai, Y. Koide.
タイトルInterfacial band configuration and electrical properties of LaAlO3/Al2O3/hydrogenated-diamond metal-oxide-semiconductor field effect transistors
掲載誌名Journal of Applied Physics 114 [8] 084108
ISSN: 00218979, 10897550
ESIでのカテゴリ: PHYSICS
出版社AIP Publishing
発表年2013
言語English
DOIhttps://doi.org/10.1063/1.4819108
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