HOME > 口頭発表 > 書誌詳細HfO2絶縁膜を用いたMoS2FETにおける実効移動度の評価(Characterization of effective mobility in MoS2FET with HfO2 high-k insulator)二之宮成樹, 森 貴洋, 内田紀行, 久保利隆, 渡辺 英一郎, 津谷 大樹, 森山 悟士, 田中正俊, 安藤 淳. 2015年第62回応用物理学会春期学術講演会. 2015.NIMS著者渡辺 英一郎津谷 大樹Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2017-01-08 04:32:31 +0900更新時刻: 2017-07-10 22:04:31 +0900