HOME > 口頭発表 > 書誌詳細2次元層状MoS2トランジスタ形成プロセスの検討(Investigation of Device Fabrication Processes for Ultra-thin MoS2 Transistors)兼村瑠威, 森貴洋, 渡辺 英一郎, 津谷 大樹, 森山 悟士, 前田辰郎, 内田紀行, 宮田典幸, 安田哲二, 田中正俊, 安藤淳. 2013年第60回応用物理学会春季学術講演会. 2013.NIMS著者渡辺 英一郎津谷 大樹Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2017-01-08 04:05:12 +0900更新時刻: 2017-07-10 21:32:54 +0900