HOME > 口頭発表 > 書誌詳細AlN/Diamondヘテロ接合型電界効果トランジスタの開発(Development of Field Effect Transistors by AlN/Diamond Heterostructure)井村 将隆, 早川 竜馬, 大里 啓孝, 渡辺 英一郎, 津谷 大樹, 廖 梅勇, 小出 康夫, 天野浩. 2011年日本金属学会秋期大会. 2011年11月07日-2011年11月09日.NIMS著者井村 将隆早川 竜馬大里 啓孝渡辺 英一郎津谷 大樹廖 梅勇小出 康夫Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2017-02-14 11:27:14 +0900更新時刻: 2017-07-10 21:13:54 +0900