HOME > Presentation > DetailAlN/Diamondヘテロ接合型電界効果トランジスタの開発(Development of Field Effect Transistors by AlN/Diamond Heterostructure)井村 将隆, 早川 竜馬, 大里 啓孝, 渡辺 英一郎, 津谷 大樹, 廖 梅勇, 小出 康夫, 天野浩. 2011年日本金属学会秋期大会. November 07, 2011-November 09, 2011.NIMS author(s)IMURA, MasatakaHAYAKAWA, RyomaOOSATO, HirotakaWATANABE, EiichiroTSUYA, DaijuLIAO, MeiyongFulltext and dataset(s) on Materials Data Repository (MDR)Created at: 2017-02-14 11:27:14 +0900 Updated at: 2017-07-10 21:13:54 +0900