- Address
- 305-0044 茨城県つくば市並木1-1 [アクセス]
研究内容
- Keywords
層状物質、グラフェン、２次元電子系、量子輸送、トランジスタ
出版物2004年以降のNIMS所属における研究成果や出版物を表示しています。
論文
- Amir Zulkefli, Bablu Mukherjee, Ryoji Sahara, Ryoma Hayakawa, Takuya Iwasaki, Yutaka Wakayama, Shu Nakaharai. Enhanced Selectivity in Volatile Organic Compound Gas Sensors Based on ReS2-FETs under Light-Assisted and Gate-Bias Tunable Operation. ACS Applied Materials & Interfaces. 13 [36] (2021) 43030-43038 10.1021/acsami.1c10054
- Takuya Iwasaki, Shu Nakamura, Osazuwa G. Agbonlahor, Manoharan Muruganathan, Masashi Akabori, Yoshifumi Morita, Satoshi Moriyama, Shinichi Ogawa, Yutaka Wakayama, Hiroshi Mizuta, Shu Nakaharai. Room-temperature negative magnetoresistance of helium-ion-irradiated defective graphene in the strong Anderson localization regime. Carbon. 175 (2021) 87-92 10.1016/j.carbon.2020.12.076
- Bablu Mukherjee, Amir Zulkefli, Kenji Watanabe, Takashi Taniguchi, Yutaka Wakayama, Shu Nakaharai. Laser‐Assisted Multilevel Non‐Volatile Memory Device Based on 2D van‐der‐Waals Few‐Layer‐ReS 2 /h‐BN/Graphene Heterostructures. Advanced Functional Materials. 30 [42] (2020) 2001688 10.1002/adfm.202001688
書籍
- NAKAHARAI, Shu. MX2 materials for functionality enhanced transistors. The Institution of Engineering and Technology, 2018
- 中払 周, 小川 真一, 塚越 一仁, 佐藤 信太郎, 横山 直樹. ウェハスケール・トップダウン加工でのグラフェントランジスタ試作. カーボンナノチューブ・グラフェンの 応用研究最前線. , 2016, 201-207.
口頭発表
- 中払 周. CMOS応用に向けた遷移金属ダイカルコゲナイド系半導体材料のキャリア型制御. 2017 International Workshop on Dielectric Thin Films (IWDTF). 2017
- 中払 周, 飯島智彦, 小川真一, 八木克典, 原田 直樹, 林 賢二郎, 近藤大雄, 高橋 慎, 黎 松林, 山本 真人, リン イェン フ, 上野 啓司, 塚越 一仁, 佐藤 信太郎, 横山 直樹. 原子薄膜の電気的極性可変トランジスタ. 第182回 表面・界面・シリコン材料研究委員会研究集会. 2015
- 中払 周, Tomohiko Iijima, Shinich Ogawa, Shingo Suzuki, 塚越 一仁, Shintaro Sato, Naoki Yokoyama. Electrostatically-Reversible Polarity of Dual-Gated Graphene Transistors with He Ion Irradiated Channel: Toward Reconfigurable CMOS Applications. IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM). 2012
その他の文献
- 中払 周, マッカージー バブル, 若山 裕. 二次元層状物質を使った光多値メモリの開発. 月刊 機能材料. (2021) 58-64
- 中払 周. 遷移金属ダイカルコゲナイド半導体α－MoTe2のトランジスタ極性制御. カルコゲナイド系層状物質の最新研究. (2016) 204-216
- 中払 周, 佐藤信太郎. 新しいグラフェントランジスター. パリティ. 28 [10] (2013) 40-42