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- 305-0044 茨城県つくば市並木1-1 [アクセス]
研究内容
- Keywords
層状物質、グラフェン、２次元電子系、量子輸送、トランジスタ
出版物2004年以降のNIMS所属における研究成果や出版物を表示しています。
論文
- Room-temperature negative magnetoresistance of helium-ion-irradiated defective graphene in the strong Anderson localization regime. CARBON. (2021) 87-92 10.1016/j.carbon.2020.12.076
- Amir Zulkefli, Bablu Mukherjee, Takuya Iwasaki, Ryoma Hayakawa, Shu Nakaharai, Yutaka Wakayama. Gate-bias tunable humidity sensors based on rhenium disulfide field-effect transistors. Japanese Journal of Applied Physics. 60 [SB] (2021) SBBH01 10.35848/1347-4065/abd2a0
- Bablu Mukherjee, Ryoma Hayakawa, Kenji Watanabe, Takashi Taniguchi, Shu Nakaharai, Yutaka Wakayama. ReS 2 /h‐BN/Graphene Heterostructure Based Multifunctional Devices: Tunneling Diodes, FETs, Logic Gates, and Memory. Advanced Electronic Materials. 7 [1] (2021) 2000925 10.1002/aelm.202000925
書籍
- NAKAHARAI, Shu. MX2 materials for functionality enhanced transistors. The Institution of Engineering and Technology, 2018
- 中払 周, 小川 真一, 塚越 一仁, 佐藤 信太郎, 横山 直樹. ウェハスケール・トップダウン加工でのグラフェントランジスタ試作. カーボンナノチューブ・グラフェンの 応用研究最前線. , 2016, 201-207.
- 塚越 一仁, 中払 周. グラフェンの伝導電荷極性制御と素子化の試み. グラフェンの機能と応用展望II. , 2012, 196-206.
口頭発表
- IWASAKI, Takuya, 中村 周, Osazuwa G. Agbonlahor, Manoharan Muruganathan, 赤堀 誠志, 守田 佳史, MORIYAMA, Satoshi, 小川 真一, WAKAYAMA, Yutaka, 水田 博, NAKAHARAI, Shu. Observation of charge carrier localization-induced negative magnetoresistance at room temperature in helium-ion-irradiated defective graphene. 2020 International Conference on Solid State Devices and Materials. 2020
- IWASAKI, Takuya, Manoharan Muruganathan, 赤堀 誠志, 守田 佳史, MORIYAMA, Satoshi, 小川 真一, WAKAYAMA, Yutaka, 水田 博, NAKAHARAI, Shu. Negative magnetoresistance of helium-ion-irradiated graphene in the strong Anderson localization regime. 第81回応用物理学会秋季学術講演会. 2020
- 岩崎 拓哉, 中払 周, 若山 裕, 渡邊 賢司, 谷口 尚, 守田 佳史, 森山 悟士. モアレ超格子二重量子ドット素子における量子ホール効果と単一キャリア輸送特性. 日本物理学会2020年秋季大会. 2020
その他の文献
- 中払 周. 遷移金属ダイカルコゲナイド半導体α−MoTe2のトランジスタ極性制御. カルコゲナイド系層状物質の最新研究. (2016) 204-216
- 中払 周, 佐藤信太郎. 新しいグラフェントランジスター. パリティ. 28 [10] (2013) 40-42
- 中払 周. 新しいグラフェントランジスタの動作原理とその応用. マテリアルステージ. 13 [2] (2013) 56-59