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金子 智昭

金子 智昭 (KANEKO, Tomoaki) 0000-0002-5296-7403

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305-0044 茨城県つくば市並木1-1 [アクセス]

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論文 TSV

2024
  1. Tomoaki KANEKO, Yui FUJIHARA, Toshihiko MANDAI, Hiroaki KOBAYASHI, Keitaro SODEYAMA. Ether Molecule Decomposition on MgM2O4 (M = Mn, Fe, Co) Spinel Surface: A First-principles Study. Electrochemistry. 92 [2] (2024) 23-00087 10.5796/electrochemistry.23-00087 Open Access
2023
  1. Tomoaki Kaneko, Yui Fujihara, Hiroaki Kobayashi, Keitaro Sodeyama. First-principles study of the reconstruction of MgM2O4 (M = Mn, Fe, Co) spinel surface. Applied Surface Science. 613 (2023) 156065 10.1016/j.apsusc.2022.156065 Open Access
2022
  1. Towhid H. Chowdhury, Ryuji Kaneko, Tomoaki Kaneko, Keitaro Sodeyama, Jae-Joon Lee, Ashraful Islam. Electronic defect passivation of FASnI3 films by simultaneous Hydrogen-bonding and chlorine co-ordination for highly efficient and stable perovskite solar cells. Chemical Engineering Journal. 431 (2022) 133745 10.1016/j.cej.2021.133745
2018
  1. Tomoaki Kaneko, Nobuo Tajima, Takahiro Yamasaki, Jun Nara, Tatsuo Schimizu, Koichi Kato, Takahisa Ohno. First-principles modeling of defect-free abrupt SiC/SiO2 interfaces on a- and m-face 4H-SiC. Applied Physics Express. 11 [10] (2018) 101304 10.7567/apex.11.101304
  2. Nobuo Tajima, Tomoaki Kaneko, Takahiro Yamasaki, Jun Nara, Tatsuo Schimizu, Koichi Kato, Takahisa Ohno. First-principles study on C=C defects near SiC/SiO2 interface: Defect passivation by double-bond saturation. Japanese Journal of Applied Physics. 57 [4S] (2018) 04FR09 10.7567/jjap.57.04fr09
  3. Tomoaki Kaneko, Nobuo Tajima, Takahiro Yamasaki, Jun Nara, Tatsuo Schimizu, Koichi Kato, Takahisa Ohno. Hybrid density functional analysis of distribution of carbon-related defect levels at 4H-SiC(0001)/SiO2 interface. Applied Physics Express. 11 [1] (2018) 011302 10.7567/apex.11.011302
2017
  1. Tomoaki Kaneko, Nobuo Tajima, Takahiro Yamasaki, Takahisa Ohno. First-Principles Analysis on π-bonded Chain Structure on Several Polytypes of SiC Surfaces: Importance of Stacking Sequence on Energetics and Electronic Structures. Journal of the Physical Society of Japan. 86 [9] (2017) 094708 10.7566/jpsj.86.094708
2016
  1. Nobuo Tajima, Tomoaki Kaneko, Jun Nara, Takahisa Ohno. A first principles study on the CVD graphene growth on copper surfaces: A carbon atom incorporation to graphene edges. Surface Science. 653 (2016) 123-129 10.1016/j.susc.2016.06.012
  2. Tomoaki Kaneko, Takahisa Ohno. First-principles study of graphene under c-HfO2(111) layers: Electronic structures and transport properties. Applied Physics Letters. 109 [8] (2016) 083105 10.1063/1.4961112
  3. Tomoaki Kaneko, Takahisa Ohno. First-principles study of electronic structures of graphene on Y2O3. Japanese Journal of Applied Physics. 55 [6S1] (2016) 06GF07 10.7567/jjap.55.06gf07
  4. Tomoaki Kaneko, Nobuo Tajima, Takahisa Ohno. First-principles study on bottom-up fabrication process of atomically precise graphene nanoribbons. Japanese Journal of Applied Physics. 55 [6S1] (2016) 06GF05 10.7567/jjap.55.06gf05
  5. Tomoaki Kaneko, Takahiro Yamasaki, Nobuo Tajima, Takahisa Ohno. First-principles study on reconstruction of 4H-SiC(0001) and (0001¯). Surface Science. 647 (2016) 45-50 10.1016/j.susc.2015.11.019
  6. Emi Kano, Ayako Hashimoto, Tomoaki Kaneko, Nobuo Tajima, Takahisa Ohno, Masaki Takeguchi. Interactions between C and Cu atoms in single-layer graphene: direct observation and modelling. Nanoscale. 8 [1] (2016) 529-535 10.1039/c5nr05913e
2014
  1. Nobuo Tajima, Tomoaki Kaneko, Jun Nara, Takahisa Ohno. Carbon atom reactions in the initial stage of CVD graphene growth on copper: A first principles study. Japanese Journal of Applied Physics. 53 [5S1] (2014) 05FD08 10.7567/jjap.53.05fd08
  2. Tomoaki Kaneko, Takahisa Ohno. Effect of surface oxidation on transport properties in graphene–metal junctions. Japanese Journal of Applied Physics. 53 [5S1] (2014) 05FD07 10.7567/jjap.53.05fd07

書籍 TSV

会議録 TSV

2017
  1. TAJIMA, Nobuo, KANEKO, Tomoaki, YAMASAKI, Takahiro, NARA, Jun, Tatsuo Schimizu, Koichi Kato. A first principles study on the C=C defects near SiC/SiO2 interface: Defect passivation by double bond saturation. Proceedings of Solid State Device Material. (2017) 1077-1078
2016
  1. Takahiro Yamasaki, Nobuo Tajima, Tomoaki Kaneko, Nobutaka Nishikawa, Jun Nara, Tatsuo Schimizu, Koichi Kato, Takahisa Ohno. 4H-SiC Surface Structures and Oxidation Mechanism Revealed by Using First-Principles and Classical Molecular Dynamics Simulations. MATERIALS SCIENCE FORUM. (2016) 429-432 10.4028/www.scientific.net/msf.858.429
2014
  1. TAJIMA, Nobuo, KANEKO, Tomoaki, NARA, Jun, OHNO, Takahisa. A first principles study on CVD graphene growth on copper surface: C-C bonding reactions at graphene edges. EXTENDED ABSTRACT OF SOLID STATE DEVICE MATERIALS. (2014) 346-347

口頭発表 TSV

2024
  1. SODEYAMA, Keitaro, KANEKO, Tomoaki, 藤原優衣, MANDAI, Toshihiko, 小林弘明. Solvent Molecule Decomposition at the Spinel Cathode Sureface of Mg-Battery: A First-Principles Study. PRiME2024 (Pacific Rim Meeting) (Electrochemical Society). 2024
2022
  1. 手跡 雄太, 金子 智昭, 袖山 慶太郎, 小野寺陽平, 小山千尋, 増野敦信, 志賀元紀, 岡田純平, 水野章敏, 渡邊勇基, 仲田結衣, 尾原幸治, 織田裕久, 石川毅彦, 小原 真司. MgO–SiO2系液体・ガラスの構造物性研究. 日本セラミックス協会 第63回ガラスおよびフォトニクス材料討論会. 2022
  2. 金子 智昭, 袖山 慶太郎. 第一原理分子動力学法を用いたスルホラン電解液とLi金属電極界面の反応解析. 第63回電池討論会. 2022
  3. 手跡 雄太, 金子 智昭, 袖山 慶太郎, 小野寺 陽平, 小山千尋, 増野 敦信, 志賀元紀, 岡田純平, 水野章敏, 渡邊勇基, 仲田結衣, 尾原幸治, 織田裕久, 石川毅彦, 小原 真司. 量子ビーム実験と計算機実験によるMgO−SiO系ガラス・高温融体の構造解析. 日本セラミックス協会 第35回秋季シンポジウム. 2022
  4. 手跡 雄太, 金子 智昭, 袖山 慶太郎, 小野寺陽平, 小山千尋, 増野敦信, 志賀元紀, 岡田純平, 水野章敏, 渡邊勇基, 仲田結衣, 尾原幸治, 織田裕久, 石川毅彦, 小原 真司. 宇宙実験・量⼦ビーム実験・コンピュータシミュレーショ ンによるMgO–SiO2系ガラス・液体の構造物性研究. 日本マイクログラビティ応用学会 第34回学術講演会 (JASMAC-34). 2022
2021
  1. 小原 真司, 金子 智昭, 袖山 慶太郎, 小野寺陽平, 小山 千尋, 増野 敦信, 志賀 元紀, 岡田 純平, 水野 章敏, 渡邊 勇基, 仲田 結衣, 尾原 幸治, 織田 裕久, 石川 毅彦. 量子ビーム回折実験、熱物性計測、コンピューターシミュレーションによる高温酸化物液体の構造物性研究. 第62回ガラスおよびフォトニクス材料討論会. 2021
2020
  1. 野村 奈央, 李 尚霖, 宇賀田 洋介, 多々良 涼一, 劉 佳麗, KANEKO, Tomoaki, SODEYAMA, Keitaro, MANDAI, Toshihiko, 上野 和英, 獨古 薫, 渡邉 正義. Strategy and Issue for Li-S Batteries with High Energy Density. PRiME2020. 2020
2019
  1. 竹端 寛治, 今中 康貴, 金子 智昭, 関根佳明, 高村真琴, 日比野浩樹. イオンゲルゲートにより電荷制御された二層グラフェンの サイクロトロン共鳴. NIMS先端計測シンポジウム2019. 2019
2018
  1. 竹端 寛治, 今中 康貴, 関根佳明, 金子 智昭, 高村真琴, 日比野浩樹. 二層グラフェンの上部バンドに関するサイクロトロン共鳴測定. 東北大学金属材料研究所強磁場コラボラトリ研究会. 2018
  2. 金子 智昭, 田島 暢夫, 山崎 隆浩, 加藤弘一, 奈良 純, 清水達雄, 大野 隆央. 第一原理計算によるa-,m-面上の4H-SiC/SiO2 界面モデル構造の構築. 第79回応用物理学会秋季学術講演会. 2018
  3. 竹端 寛治, 今中 康貴, 金子 智昭, 関根佳明, 高村真琴, 日比野浩樹. イオンゲルゲート制御された二層グラフェンにおける サイクロトロン共鳴測定. 日本物理学会2018年秋季大会. 2018
  4. 竹端 寛治, 今中 康貴, 金子 智昭, 関根佳明, 高村真琴, 日比野浩樹. 二層グラフェンにおける上部バンドのサイクロトロン共鳴. 34th International Conference on the Physics of Semiconductors. 2018
  5. 山崎 隆浩, 田島 暢夫, 金子 智昭, 奈良 純, 清水達雄, 加藤　弘一, 金田千穂子, 大野 隆央, 加藤　弘一. 4H-SiC/SiO2界面O2酸化の第一原理シミュレーション 〜炭素クラスターの形成と拡散〜. 第65回応用物理学会春季学術講演会. 2018
2017
  1. 山崎 隆浩, 田島 暢夫, 金子 智昭, 奈良 純, 清水達雄, 加藤弘一, 大野 隆央. 4H-SiC/SiO2界面O2酸化の第一原理シミュレーション 〜界面における炭素関連欠陥の電子状態〜. 第64回応用物理学会春季学術講演会. 2017
2016
  1. 山崎 隆浩, 田島 暢夫, 金子 智昭, 奈良 純, 清水達雄, 加藤弘一, 大野 隆央. 4H-SiC/SiO2 界面O2 酸化の第一原理シミュレーション　〜SiC(0001)Si 面と(000-1)C 面の違い〜. 応用物理学会秋季学術講演会. 2016
  2. 金子 智昭, 大野 隆央. トポロジカル欠陥のある hBN 基板のグラフェンの伝導. 応用物理学会春季学術講演会. 2016
  3. 金子 智昭, 山崎 隆浩, 田島 暢夫, 奈良 純, 清水達雄, 加藤弘一, 大野 隆央. 4H-SiC(0001)/SiO2 界面での欠陥準位の分布の第一原理解析. 応用物理学会春季学術講演会. 2016
  4. 竹端 寛治, 今中 康貴, 金子 智昭, 関根佳明, 高村真琴, 日比野浩樹. SiC上成長二層グラフェンにおけるサイクロトロン共鳴III. 日本物理学会　第71回年次大会. 2016
  5. 田島 暢夫, 山崎 隆浩, 金子 智昭, 奈良 純, 清水達雄, 加藤弘一, 大野 隆央. シリコンカーバイドの熱酸化に関する理論的研究：SiO2/SiC界面の化学種について. American Physical Society March Meeting. 2016
2015
  1. 金子 智昭, 田島 暢夫, 大野 隆央. 原子的に精密なグラフェンナノリボンの形成過程の第一原理研究. 28th International Microprocesses and Nanotechnology Conference. 2015
  2. 金子 智昭, 山崎 隆浩, 田島 暢夫, 奈良 純, 清水達雄, 加藤弘一, 大野 隆央. 4H-SiC(0001)/SiO2 界面欠陥準位の第一原理解析：欠陥構造の重要性. 先進パワー半導体分科会 第2回講演会. 2015
  3. 山崎 隆浩, 田島 暢夫, 金子 智昭, 奈良 純, 清水達雄, 加藤弘一, 大野 隆央. SiC熱酸化により生成するSiO2/SiC界面の化学種に関する理論的研究. 先進パワー半導体分科会第二回講演会. 2015
  4. 山崎 隆浩, 田島 暢夫, 金子 智昭, 奈良 純, 清水達雄, 加藤弘一, 大野 隆央. 酸素分子による4H-SiC/SiO2界面酸化の第一原理動的シミュレーション. 先進パワー半導体分科会第2回講演会. 2015
  5. 金子 智昭, 山崎 隆浩, 田島 暢夫, 大野 隆央. 様々な結晶多形の SiC 表面での pi-結合鎖模型の安定性. 日本物理学会 2015秋季大会. 2015
  6. 山崎 隆浩, 田島 暢夫, 金子 智昭, 奈良 純, 清水達夫, 加藤弘一, 大野 隆央. シリコン・カーバイド熱酸化プロセスに関する第一原理的研究. 応用物理学会秋季学術講演会. 2015
  7. 金子 智昭, 大野 隆央. 多原子空孔のある hBN 基板のグラフェンの伝導 . 第76回応用物理学会秋期学術講演会. 2015
  8. 金子 智昭, 大野 隆央. Electronic transport in graphene on defective hBN: First-principles study . EP2DS-21/MSS-17. 2015
  9. 竹端 寛治, 今中 康貴, 金子 智昭, 関根佳明, 高村真琴, 日比野浩樹. SiC上エピタキシャル成長二層グラフェンにおけるサイクロトロン共鳴. 21st International Conference on Electronic Properties of 2DS. 2015
  10. 竹端 寛治, 今中 康貴, 金子 智昭, 高村真琴, 関根佳明, 日比野浩樹. SiC上成長二層グラフェンにおけるサイクロトロン共鳴II. 日本物理学会第70回年次大会. 2015
  11. 金子 智昭, 山崎 隆浩, 田島 暢夫, 大野 隆央. 4H-SiC 表面のπ-結合鎖模型の安定性についての第一原理解析 . 第62回応用物理学会春期学術講演会. 2015
  12. 金子 智昭, 大野 隆央. hBN 基板中の空孔のグラフェンの伝導への影響の第一原理解析 . 第62回応用物理学会春期学術講演会. 2015
  13. 山崎 隆浩, 田島 暢夫, 金子 智昭, 西川宜孝, 清水達雄, 加藤弘一, 大野 隆央. 4H-SiC酸化の第一原理／古典的分子動力学シミュレーション. 応用物理学会春季学術講演会. 2015
  14. 田島 暢夫, 金子 智昭, 山崎 隆浩, 奈良 純, 大野 隆央. 次世代デバイス材用の第一原理シミュレーション. 文部科学省HPCI戦略プログラム分野4統合ワークショップ. 2015
  15. 田島 暢夫, 金子 智昭, 奈良 純, 大野 隆央. 銅表面上のCVDグラフェン成長に関する第一原理的研究：グラフェン端におけるC-C結合反応. American Physical Society March Meeting. 2015
  16. 金子 智昭, 大野 隆央. Al2O3 堆積のグラフェン伝導への影響：DFT-NEGF での研究. APS March meeting. 2015
  17. 金子 智昭, 大野 隆央. 不純物を含む hBN 上のグラフェンの電気伝導：DFT-NEGF での研究. APS March meeting. 2015
2014
  1. 金子 智昭, 大野 隆央. Y2O3(111)上グラフェンの安定性についての第一原理解析. 第７５回応用物理学会秋季学術講演会. 2014
  2. 金子 智昭, 大野 隆央. HfO2 下のグラフェンについての電気伝導の第一原理解析 . 第７５回応用物理学会秋季学術講演会. 2014
  3. 田島 暢夫, 金子 智昭, 奈良 純, 大野 隆央. Cu表面上のCVDグラフェン成長に関する第一原理的研究. 応用物理学会秋季学術講演会. 2014
  4. 金子 智昭, 大野 隆央. 欠陥や不純物を含んだ h-BN 上 グラフェンでの電気伝導の第一原理解析 . 日本物理学会2014年秋季大会. 2014
  5. 金子 智昭, 田島 暢夫, 大野 隆央. 原子的に精密なグラフェンナノリボンの形成についての第一原理計算による研究. IEEE International Nanoelectronics Conference 2014. 2014 招待講演
  6. 金子 智昭, 大野 隆央. c-HfO2(111) 下のグラフェンの電気伝導：第一原理による研究. IEEE International Nanoelectronics Conference 2014. 2014
  7. 田島 暢夫, 金子 智昭, 奈良 純, 大野 隆央. Cu表面上のCVDグラフェン成長における炭素原子反応:第一原理的研究. 応用物理学会春季学術講演会. 2014
  8. 金子 智昭, 田島 暢夫, 大野 隆央. グラフェン・ナノリボンのボトムアップ成長における 金属表面ステップの影響についての第一原理解析 . 第61回応用物理学会春季学術講演会. 2014
  9. 金子 智昭, 大野 隆央. Al2O3下のグラフェンでの電気伝導の第一原理解析. 第61回応用物理学会春季学術講演会. 2014
  10. 金子 智昭, 田島 暢夫, 大野 隆央. グラフェンナノリボンのボトムアップ成長におけるAu 表面ステップエッジの役割：第一原理に依る研究. American physical society march meeting 2014. 2014
  11. 田島 暢夫, 金子 智昭, 奈良 純, 大野 隆央. Cu表面上のCVDグラフェン成長における炭素原子の反応に関する理論的研究. American physical society march meeting 2014. 2014
2013
  1. 金子 智昭, 田島 暢夫, 大野 隆央. ナノリボンのボトムアップ成長に関する第一原理解析. 「グリーン・ナノエレクトロニクスのコア技術開発」最終成果報告会. 2013
  2. 田島 暢夫, 金子 智昭, 奈良 純, 大野 隆央. Cu-CVDグラフェン生成系におけるC-C結合反応に関する第一原理的解析. 「グリーン・ナノエレクトロニクスのコア技術開発」最終成果報告会. 2013
  3. 田島 暢夫, 金子 智昭, 奈良 純, 大野 隆央. Cu表面上のCVDグラフェン成長における炭素原子結合プロセスに関する理論的研究. 2013 JSAP-MRS Joint Symposia. 2013
  4. 金子 智昭, 大野 隆央. DFT-NEGF によるグラフェンと金属電極間の接触抵抗の研究：酸素挿入の影響. 2013 JSAP-MRS Joint Symposia. 2013
  5. 金子 智昭, 大野 隆央. DFT-NEGF によるグラフェンと M 電極 (M=Co, Ni, Cu, Al, Ti, Pd, Ag, Pt and Au) 間の接触抵抗. Recent Progress in Graphene Research (RPGR2013) . 2013
  6. 金子 智昭, 大野 隆央. SiO2 内の不純物による SiO2 上のグラフェンの電荷パドル形成への影響. Recent Progress in Graphene Research (RPGR2013). 2013
  7. 金子 智昭. グラフェンと金属電極間の電気伝導計算. NIMSナノシミュレーションワークショップ2013. 2013
  8. 金子 智昭, 大野 隆央. グラフェンー金属電極間の接触抵抗の第一原理による研究. American physical society march meeting 2013. 2013
  9. 田島 暢夫, 金子 智昭, 奈良 純, 大野 隆央. 銅表面上のCVDグラフェン成長における炭素原子間結合生成過程：第一原理的研究. American physical society march meeting 2013. 2013
  10. 金子 智昭, 大野 隆央. 第一原理計算によるグラフェンデバイスの低接触抵抗への設計指針. グリーン・ナノエレクトロニクスのコア技術開発 2013年 成果報告会. 2013
2012
  1. 金子 智昭, 大野 隆央. グラフェン-金属電極の接合の伝導：DFT-NEGF による研究. nanoPHYS'12. 2012
  2. 金子 智昭, 大野 隆央. ASCOT によるグラフェン-金属電極間の接触抵抗の計算. NIMSナノシミュレーションワークショップ2012. 2012
  3. 金子 智昭, 大野 隆央. 金属電極からグラフェンへの電流注入における電極構造の影響：DFT-NEGF による研究. Conference on Computational Physics 2012. 2012

その他の文献 TSV

公開特許出願 TSV

  1. 半導体装置、半導体装置の製造方法、インバータ回路、駆動装置、車両、及び、昇降機 (2020)
  2. 半導体装置、半導体装置の製造方法、インバータ回路、駆動装置、車両、及び、昇降機 (2020)
  3. 半導体装置、インバータ回路、駆動装置、車両、及び、昇降機 (2017)
  4. 半導体装置、半導体装置の製造方法、インバータ回路、駆動装置、車両、及び、昇降機 (2017)

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