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論文 TSV
2023
- Rahmat Hadi Saputro, Tatsuro Maeda, Ryo Matsumura, Naoki Fukata. Highly strained and heavily doped germanium thin films by non-equilibrium high-speed CW laser annealing for optoelectronic applications. Materials Science in Semiconductor Processing. 162 (2023) 107516 10.1016/j.mssp.2023.107516
2022
- Rahmat Hadi Saputro, Ryo Matsumura, Naoki Fukata. Crystallization Of Tensile Strained n-Type Ge By Continuous Wave Laser Annealing. ECS Transactions. 108 [5] (2022) 79-82 10.1149/10805.0079ecst
2021
- Rahmat Hadi Saputro, Ryo Matsumura, Naoki Fukata. Dopant Redistribution in High-Temperature-Grown Sb-Doped Ge Epitaxial Films. Crystal Growth & Design. 21 [11] (2021) 6523-6528 10.1021/acs.cgd.1c00966
- Rahmat Hadi Saputro, Ryo Matsumura, Naoki Fukata. Epitaxial Growth of Highly Sb-Doped Ge on p-Ge (100) for Vertical Transistor Applications. ECS Transactions. (2021) 147-150 10.1149/10202.0147ecst
書籍 TSV
会議録 TSV
2022
- Rahmat Hadi Saputro, Ryo Matsumura, Naoki Fukata. 高n型Geのエピタキシャル成長中におけるSbの再分布. 電子デバイス界面テクノロジー研究会 –材料・プロセス・デバイス特性の物理–プロシーディング集. 27 (2022) 113-116
2021
- サプトロ ラハマト ハディ, 松村 亮, 深田 直樹. Sb 添加Ge 縦型pn ダイオードの電気特性に及ぼす基板加熱堆積の効果. 電子デバイス界面テクノロジー研究会 –材料・プロセス・デバイス特性の物理–プロシーディング集. (2021) 133-136
口頭発表 TSV
2023
- MATSUMURA, Ryo, SAPUTRO, Rahmat Hadi, FUKATA, Naoki. High-Speed Continuous Wave Laser Annealing: Non-equilibrium growth of Highly-Strained Germanium-Based Materials. MRM2023/IUMRS-ICA2023. 2023
- SAPUTRO, Rahmat Hadi, MATSUMURA, Ryo, 前田辰郎, FUKATA, Naoki. Crystallization of n-type Si0.1Ge0.9 thin films by high-speed CW laser annealing. 第84回応用物理学会秋季学術講演会. 2023
- SAPUTRO, Rahmat Hadi, 前田辰郎, MATSUMURA, Ryo, FUKATA, Naoki. Compressive Strain Dependence on the Photoluminescence of Epitaxial Ge1-xSnx Grown on Ge(100). 2023 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM). 2023
- SAPUTRO, Rahmat Hadi, MATSUMURA, Ryo, 前田辰郎, FUKATA, Naoki. Growth speed dependence on growth feature of n-Ge thin films fabricated by high-speed CW laser annealing. EM-NANO 2023. 2023
- SAPUTRO, Rahmat Hadi, MATSUMURA, Ryo, FUKATA, Naoki. Growth speed dependence on growth feature of n-Ge thin films fabricated by high-speed CW laser annealing. EM-NANO2023. 2023
- サプトロ ラハマト ハディ, 松村 亮, 前田辰郎, 深田 直樹. 高速CWLA法による高伸張歪・高n型Ge薄膜の作製と評価. 第28回 電子デバイス界面テクノロジー研究会. 2023
2022
- SAPUTRO, Rahmat Hadi, MATSUMURA, Ryo, FUKATA, Naoki. Crystallization of Tensile Strained n-Type Ge By Continuous Wave Laser Annealing. 241st ECS Meeting. 2022
- サプトロ ラハマト ハディ, 松村 亮, 深田 直樹. 高n型Geのエピタキシャル成長中におけるSbの再分布. 電子デバイス界面テクノロジー研究会 ―材料・プロセス・デバイス特性の物理―」 (第27回研究会). 2022
2021
- SAPUTRO, Rahmat Hadi, MATSUMURA, Ryo, FUKATA, Naoki. Epitaxial Growth of Highly Sb-Doped Ge on p-Ge (100) for Vertical Transistor Formation. 239th ECS Meeting/ https://www.electrochem.org/239. 2021
- サプトロ ラハマト ハディ, 松村 亮, 深田 直樹. Sb添加Ge縦型pnダイオードの電気特性に及ぼす基板加熱堆積の効果. 第26回電子デバイス界面テクノロジー研究会 ―材料・プロセス・デバイス特性の物理― http://www.edit-ws.jp/. 2021