HOME > 口頭発表 > 書誌詳細高速CWLA法による高伸張歪・高n型Ge薄膜の作製と評価(Fabrication and Characterization of Highly Strained and Heavily Doped n-type Ge Films by High-speed CWLA)サプトロ ラハマト ハディ, 松村 亮, 前田辰郎, 深田 直樹. 第28回 電子デバイス界面テクノロジー研究会. 2023年02月03日-2023年02月04日.NIMS著者サプトロ ラハマト ハディ松村 亮深田 直樹Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2024-01-09 03:11:16 +0900更新時刻: 2024-01-09 03:11:16 +0900