- Address
- 305-0044 茨城県つくば市並木1-1 [アクセス]
外部併任先
- University of Tsukuba, Graduate School of Science and Technology
研究内容
出版物2004年以降のNIMS所属における研究成果や出版物を表示しています。
論文
- Rahmat Hadi Saputro, Tatsuro Maeda, Kaoru Toko, Ryo Matsumura, Naoki Fukata. High Doping Activation (≥1020 cm–3) in Tensile-Strained n-Ge Alloys Achieved by High-Speed Continuous-Wave Laser Annealing. ACS Applied Electronic Materials. 6 [6] (2024) 4297-4303 10.1021/acsaelm.4c00399
- Rahmat Hadi Saputro, Tatsuro Maeda, Ryo Matsumura, Naoki Fukata. Highly strained and heavily doped germanium thin films by non-equilibrium high-speed CW laser annealing for optoelectronic applications. Materials Science in Semiconductor Processing. 162 (2023) 107516 10.1016/j.mssp.2023.107516
- Rahmat Hadi Saputro, Ryo Matsumura, Naoki Fukata. Crystallization Of Tensile Strained n-Type Ge By Continuous Wave Laser Annealing. ECS Transactions. 108 [5] (2022) 79-82 10.1149/10805.0079ecst
会議録
- サプトロ ラハマト ハディ, 松村 亮, 深田 直樹. Sb 添加Ge 縦型pn ダイオードの電気特性に及ぼす基板加熱堆積の効果. 電子デバイス界面テクノロジー研究会 –材料・プロセス・デバイス特性の物理–プロシーディング集. (2021) 133-136
- Rahmat Hadi Saputro, Ryo Matsumura, Naoki Fukata. 高n型Geのエピタキシャル成長中におけるSbの再分布. 電子デバイス界面テクノロジー研究会 –材料・プロセス・デバイス特性の物理–プロシーディング集. 27 (2022) 113-116
口頭発表
- MATSUMURA, Ryo, SAPUTRO, Rahmat Hadi, FUKATA, Naoki. High-Speed Continuous Wave Laser Annealing for Non-equilibrium Growth of Highly Strained Germanium-Based Materials. MNC2024. 2024
- MATSUMURA, Ryo, SAPUTRO, Rahmat Hadi, FUKATA, Naoki. High-Speed Continuous Wave Laser Annealing: Non-equilibrium growth of Highly-Strained Germanium-Based Materials. MRM2023/IUMRS-ICA2023. 2023
- SAPUTRO, Rahmat Hadi, MATSUMURA, Ryo, 前田辰郎, FUKATA, Naoki. Crystallization of n-type Si0.1Ge0.9 thin films by high-speed CW laser annealing. 第84回応用物理学会秋季学術講演会. 2023
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