- Address
- 305-0044 茨城県つくば市並木1-1 [アクセス]
外部併任先
- University of Tsukuba, Graduate School of Science and Technology
研究内容
出版物原則として、2004年以降のNIMS所属における研究成果や出版物を表示しています。
論文
- Rahmat Hadi Saputro, Tatsuro Maeda, Ryo Matsumura, Naoki Fukata. Highly strained and heavily doped germanium thin films by non-equilibrium high-speed CW laser annealing for optoelectronic applications. Materials Science in Semiconductor Processing. 162 (2023) 107516 10.1016/j.mssp.2023.107516
- Rahmat Hadi Saputro, Ryo Matsumura, Naoki Fukata. Crystallization Of Tensile Strained n-Type Ge By Continuous Wave Laser Annealing. ECS Transactions. 108 [5] (2022) 79-82 10.1149/10805.0079ecst
- Rahmat Hadi Saputro, Ryo Matsumura, Naoki Fukata. Dopant Redistribution in High-Temperature-Grown Sb-Doped Ge Epitaxial Films. Crystal Growth & Design. 21 [11] (2021) 6523-6528 10.1021/acs.cgd.1c00966
会議録
- Rahmat Hadi Saputro, Ryo Matsumura, Naoki Fukata. 高n型Geのエピタキシャル成長中におけるSbの再分布. 電子デバイス界面テクノロジー研究会 –材料・プロセス・デバイス特性の物理–プロシーディング集. (2022) 113-116
- ラハマト ハディ サプトロ, 松村 亮, 深田 直樹. Sb 添加Ge 縦型pn ダイオードの電気特性に及ぼす基板加熱堆積の効果. 電子デバイス界面テクノロジー研究会 –材料・プロセス・デバイス特性の物理–プロシーディング集. (2021) 133-136
口頭発表
- SAPUTRO, Rahmat Hadi, MATSUMURA, Ryo, FUKATA, Naoki. Crystallization of Tensile Strained n-Type Ge By Continuous Wave Laser Annealing. 241st ECS Meeting. 2022
- サプトロ ラハマト ハディ, 松村 亮, 深田 直樹. 高n型Geのエピタキシャル成長中におけるSbの再分布. 電子デバイス界面テクノロジー研究会 ―材料・プロセス・デバイス特性の物理―」 (第27回研究会). 2022
- SAPUTRO, Rahmat Hadi, MATSUMURA, Ryo, FUKATA, Naoki. Epitaxial Growth of Highly Sb-Doped Ge on p-Ge (100) for Vertical Transistor Formation. 239th ECS Meeting/ https://www.electrochem.org/239. 2021