研究内容
出版物2004年以降のNIMS所属における研究成果や出版物を表示しています。
論文
- Ryo Matsumura, Naoki Fukata. Growth of Tensile Strained Poly Germanium Thin Film on Glass Substrates by High Speed Continuous Wave Laser Annealing, and its Application to Germanium-Tin. ECS Journal of Solid State Science and Technology. 9 [6] (2020) 063002 10.1149/2162-8777/aba4f1
- Ryo Matsumura, Naoki Fukata. Direct Detection of Free H<sub>2</sub> Outgassing in Blisters Formed in Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub> Atomic Layers Deposited on Si and Methods of Its Prevention. ACS Applied Materials & Interfaces. 14 [1] (2022) 1472-1477 10.1021/acsami.1c20660
- Rahmat Hadi Saputro, Ryo Matsumura, Naoki Fukata. Dopant Redistribution in High-Temperature-Grown Sb-Doped Ge Epitaxial Films. Crystal Growth & Design. 21 [11] (2021) 6523-6528 10.1021/acs.cgd.1c00966
会議録
- 松村 亮, 深田 直樹. 高速CWレーザーアニール法を用いたGeおよびGeSn材料の結晶成⻑. 電子デバイス界面テクノロジー研究会 –材料・プロセス・デバイス特性の物理–プロシーディング集. 2021, 63-66
- ラハマト ハディ サプトロ, 松村 亮, 深田 直樹. Sb 添加Ge 縦型pn ダイオードの電気特性に及ぼす基板加熱堆積の効果. 電子デバイス界面テクノロジー研究会 –材料・プロセス・デバイス特性の物理–プロシーディング集. 2021, 133-136
- Rahmat Hadi Saputro, Ryo Matsumura, Naoki Fukata. Epitaxial Growth of Highly Sb-Doped Ge on p-Ge (100) for Vertical Transistor Applications. ECS Transactions. 2021, 147-150
口頭発表
- サプトロ ラハマト ハディ, 松村 亮, 深田 直樹. 高n型Geのエピタキシャル成長中におけるSbの再分布. 電子デバイス界面テクノロジー研究会 ―材料・プロセス・デバイス特性の物理―」 (第27回研究会). 2022
- SAPUTRO, Rahmat Hadi, MATSUMURA, Ryo, FUKATA, Naoki. Epitaxial Growth of Highly Sb-Doped Ge on p-Ge (100) for Vertical Transistor Formation. 239th ECS Meeting/ https://www.electrochem.org/239. 2021
- 松村 亮, 深田 直樹. Growth of high Sn concentration Germanium-tin films on insulators by microsecond laser annealing. 239th ECS Meeting/ https://www.electrochem.org/239. 2021
所属学会
応用物理学会
受賞履歴
- Young Researcher Award (SSDM2016) (2016)
- Best Paper Award (IEDMS2015) (2015)
外部資金獲得履歴
- 池谷科学技術振興財団単年度研究助成 (2021)
- 科研費若手研究 (2020)
- 村田学術振興財団 (2019)
- 科研費(研究スタート支援) (2017)
- 科研費(特別研究員奨励費) (2016)
- 科研費(特別研究員奨励費) (2014)