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研究内容
出版物原則として、2004年以降のNIMS所属における研究成果や出版物を表示しています。
論文
- Rahmat Hadi Saputro, Tatsuro Maeda, Ryo Matsumura, Naoki Fukata. Highly strained and heavily doped germanium thin films by non-equilibrium high-speed CW laser annealing for optoelectronic applications. Materials Science in Semiconductor Processing. 162 (2023) 107516 10.1016/j.mssp.2023.107516
- Qinqiang Zhang, Ryo Matsumura, Naoki Fukata. Synthesis of Large-Area GeS Thin Films with the Assistance of Pre-deposited Amorphous Nanostructured GeS Films: Implications for Electronic and Optoelectronic Applications. ACS Applied Nano Materials. (2023) 6920-6928 10.1021/acsanm.3c00669
- Rahmat Hadi Saputro, Ryo Matsumura, Naoki Fukata. Crystallization Of Tensile Strained n-Type Ge By Continuous Wave Laser Annealing. ECS Transactions. 108 [5] (2022) 79-82 10.1149/10805.0079ecst
会議録
- Rahmat Hadi Saputro, Ryo Matsumura, Naoki Fukata. 高n型Geのエピタキシャル成長中におけるSbの再分布. 電子デバイス界面テクノロジー研究会 –材料・プロセス・デバイス特性の物理–プロシーディング集. (2022) 113-116
- 松村 亮, 深田 直樹. 高速CWレーザーアニール法を用いたGeおよびGeSn材料の結晶成⻑. 電子デバイス界面テクノロジー研究会 –材料・プロセス・デバイス特性の物理–プロシーディング集. (2021) 63-66
- ラハマト ハディ サプトロ, 松村 亮, 深田 直樹. Sb 添加Ge 縦型pn ダイオードの電気特性に及ぼす基板加熱堆積の効果. 電子デバイス界面テクノロジー研究会 –材料・プロセス・デバイス特性の物理–プロシーディング集. (2021) 133-136
口頭発表
- ZHANG, Qinqiang, MATSUMURA, Ryo, FUKATA, Naoki. Temperature dependence of GeS crystallization by vapor transport method. 第70回応用物理学会春季学術講演会. 2023
- MATSUMURA, Ryo, FUKATA, Naoki. Non-equilibrium growth of germanium based materials on insulating substrates. MANA Symposium 2022. 2022
- SAPUTRO, Rahmat Hadi, MATSUMURA, Ryo, FUKATA, Naoki. Crystallization of Tensile Strained n-Type Ge By Continuous Wave Laser Annealing. 241st ECS Meeting. 2022
所属学会
応用物理学会
受賞履歴
- Young Researcher Award (SSDM2016) (2016)
- Best Paper Award (IEDMS2015) (2015)
外部資金獲得履歴
- 池谷科学技術振興財団単年度研究助成 (2021)
- 科研費若手研究 (2020)
- 村田学術振興財団 (2019)
- 科研費(研究スタート支援) (2017)
- 科研費(特別研究員奨励費) (2016)
- 科研費(特別研究員奨励費) (2014)