HOME > 会議録 > 書誌詳細高n型Geのエピタキシャル成長中におけるSbの再分布Rahmat Hadi Saputro, Ryo Matsumura, Naoki Fukata. 電子デバイス界面テクノロジー研究会 –材料・プロセス・デバイス特性の物理–プロシーディング集 113-116. 2022.NIMS著者サプトロ ラハマト ハディ松村 亮深田 直樹Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2022-05-27 03:12:10 +0900更新時刻: 2023-10-10 10:52:26 +0900
