HOME > Proceedings > Detail高n型Geのエピタキシャル成長中におけるSbの再分布Rahmat Hadi Saputro, Ryo Matsumura, Naoki Fukata. 電子デバイス界面テクノロジー研究会 –材料・プロセス・デバイス特性の物理–プロシーディング集 113-116. 2022.NIMS author(s)SAPUTRO, Rahmat HadiMATSUMURA, RyoFUKATA, NaokiFulltext and dataset(s) on Materials Data Repository (MDR)Created at: 2022-05-27 03:12:10 +0900Updated at: 2023-10-10 10:52:26 +0900
